像素结构及其驱动方法技术

技术编号:11973244 阅读:134 留言:0更新日期:2015-08-28 10:43
本发明专利技术公开了一种像素结构,其包含多个次像素区,这些次像素区中每一者包含第一发光二极管及第二发光二极管。第一发光二极管用以发出第一颜色光。第二发光二极管用以发出第二颜色光。第一发光二极管及第二发光二极管均包含阳极端及阴极端,第一发光二极管的阳极端及第二发光二极管的阳极端耦接于同一信号线,第一发光二极管的阴极端及第二发光二极管的阴极端耦接于不同信号线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种显示技术,且特别是有关于一种。
技术介绍
对于由发光二极管(Light-Emitting D1de, LED)构成的显示器而言,导致其温度变化的热量大多来自其内部。详言之,LED本身所散发的热量是导致显示器温度上升的主要原因。一旦显示器温度升高,将严重影响到其内的LED的发光效率。由此可见,上述现有的方式,显然仍存在不便与缺陷,而有待改进。为了解决上述问题,相关领域莫不费尽心思来谋求解决之道,但长久以来仍未发展出适当的解决方案。
技术实现思路

技术实现思路
旨在提供本
技术实现思路
的简化摘要,以使阅读者对本
技术实现思路
具备基本的理解。此
技术实现思路
并非本
技术实现思路
的完整概述,且其用意并非在指出本专利技术实施例的重要/关键元件或界定本专利技术的范围。本
技术实现思路
的一目的是在提供一种,藉以改善先前技术的冋题。为达上述目的,本
技术实现思路
的一技术态样关于一种像素结构,其包含多个次像素区,这些次像素区中每一者包含第一发光二极管及第二发光二极管。第一发光二极管用以发出第一颜色光。第二发光二极管用以发出第二颜色光。第一发光二极管及第二发光二极管均包含阳极端及阴极端,第一发光二极管的阳极端及第二发光二极管的阳极端耦接于同一信号线,第一发光二极管的阴极端及第二发光二极管的阴极端耦接于不同信号线。为达上述目的,本
技术实现思路
的另一技术态样关于一种像素结构的驱动方法。像素结构包含多个次像素区,这些次像素区中每一者包含第一发光二极管及第二发光二极管,第一发光二极管及第二发光二极管均包含阳极端及阴极端,第一发光二极管的阳极端及第二发光二极管的阳极端耦接于同一信号线,第一发光二极管的阴极端及第二发光二极管的阴极端耦接于不同信号线。像素结构的驱动方法包含:控制第一发光二极管发出第一颜色光;以及控制第二发光二极管发出第二颜色光。因此,根据本专利技术的
技术实现思路
,本专利技术实施例藉由提供一种,藉以改善显示器温度升高,将严重影响到其内的发光二极管的发光效率的问题。在参阅下文实施方式后,本专利技术所属
中具有通常知识者当可轻易了解本专利技术的基本精神及其他专利技术目的,以及本专利技术所采用的技术手段与实施态样。【附图说明】为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附图式的说明如下:图1是依照本专利技术一实施例绘示一种显示面板的电路配置示意图。图2是依照本专利技术另一实施例绘示一种显示面板的电路配置示意图。图3是依照本专利技术再一实施例绘示一种驱动波形示意图。图4是依照本专利技术又一实施例绘示一种驱动波形示意图。图5是依照本专利技术另一实施例绘示一种显示面板内的发光二极管的配置示意图。图6是依照本专利技术再一实施例绘示一种显示面板内的发光二极管的频谱峰值示意图。图7是依照本专利技术又一实施例绘示一种显示面板内的发光二极管的配置示意图。图8是依照本专利技术另一实施例绘不一种显不面板的电路配置不意图。图9是依照本专利技术再一实施例绘示一种显示面板的电路配置示意图。图10是依照本专利技术又一实施例绘示一种驱动波形示意图。图11是依照本专利技术另一实施例绘示一种驱动波形示意图。图12是依照本专利技术再一实施例绘示一种显示面板内的像素的配置示意图。图13是依照本专利技术又一实施例绘示一种显示面板内的发光二极管的配置示意图。图14是依照本专利技术再一实施例绘示一种显示面板内的像素的配置示意图。图15是依照本专利技术又一实施例绘示一种电压-穿透关系曲线示意图。图16是绘示依照本专利技术又一实施方式的一种像素结构的驱动方法的流程图。其中,附图标记:a、a’、a”:发光二极管b、b’、b”:发光二极管B:蓝色发光二极管c、c’、c”:发光二极管Cdll、Cd21、Cd31:驱动电路Cl ?C6、Cq:信号线Cl ?c2:曲线Dl?D2:发光二极管G:绿色发光二极管h、h’、h”:频谱峰值1、I’:强度Mll ?M13、M21 ?M23、M31 ?M33、Mxy、Mnm:信号线Pl ?P3:期间pi ?p2:波长R:红色发光二极管SPll?SP33:次像素区SPl?SP4:次像素区T:穿透率T11、T21、T31、T41、T51、T61:阳极端Τ12、Τ22、Τ33、Τ42、Τ52、Τ62:阴极端Tl ?Τ3:周期Tc:信号线V:电压Vcom:共同电压Vtl?Vt3:电压位准W:白色1600:方法1610 ?1630:步骤根据惯常的作业方式,图中各种特征与元件并未依比例绘制,其绘制方式是为了以最佳的方式呈现与本专利技术相关的具体特征与元件。此外,在不同图式间,以相同或相似的元件符号来指称相似的元件/部件。【具体实施方式】为了使本
技术实现思路
的叙述更加详尽与完备,下文针对了本专利技术的实施态样与具体实施例提出了说明性的描述;但这并非实施或运用本专利技术具体实施例的唯一形式。实施方式中涵盖了多个具体实施例的特征以及用以建构与操作这些具体实施例的方法步骤与其顺序。然而,亦可利用其他具体实施例来达成相同或均等的功能与步骤顺序。除非本说明书另有定义,此处所用的科学与技术词汇的含义与本专利技术所属
中具有通常知识者所理解与惯用的意义相同。此外,在不和上下文冲突的情形下,本说明书所用的单数名词涵盖该名词的复数型;而所用的复数名词时亦涵盖该名词的单数型。另外,关于本文中所使用的“耦接”,可指二或多个元件相互直接作实体或电性接触,或是相互间接作实体或电性接触,亦可指二或多个元件相互操作或动作。图1是依照本专利技术一实施例绘示一种显示面板的电路配置示意图。如图所示,像素结构包含多个次像素区SPll?SP33,这些次像素区(如:SP11)中每一者包含第一发光二极管D1、第二发光二极管D2。第一发光二极管Dl用以发出第一颜色光,第二发光二极管D2用以发出第二颜色光。为使本专利技术易于理解,请一并参阅图1及图2,图2是依照本专利技术另一实施例绘示一种显示面板的电路配置示意图。上述第一发光二极管Dl及第二发光二极管D2均包含阳极端Tll、T21及阴极端T12、T22,第一发光二极管Dl的阳极端Tll及第二发光二极管D2的阳极端T21耦接于同一信号线M11,第一发光二极管Dl的阴极端T12及第二发光二极管D2的阴极端T22耦接于不同信号线C1、C2。为使本专利技术的发光二极管的驱动方式易于理解,请一并参阅图2与图3,图3是依照本专利技术再一实施例绘示一种驱动波形示意图。于操作上,第一发光二极管Dl于第一期间Pl发出第一颜色光,而第二发光二极管D2于第二期间P2发出第二颜色光,其中第一颜色光相同于第二颜色光。举例而言,于第一发光二极管Dl于第一期间Pl发出红光后,第二发光二极管D2于第二期间P2发出红光,因此,用以发出红光的像素区SP11,可交替地以第一发光二极管Dl及第二发光二极管D2发出红光,使得第二发光二极管D2发出红光时,第一发光二极管Dl可进行散热,不致使热量累积,而不影响第一发光二极管Dl的发光效率,反之亦然。在另一实施例中,第一发光二极管Dl及第二发光二极管D2亦可于同一时间发光,换言之,信号线Cl、C2可提供相同的信号,类似共同电极的结构。在另一实施例中当前第1页1 2 3 4 5 本文档来自技高网
...

【技术保护点】
一种像素结构,其特征在于,包含:多个次像素区,所述次像素区中每一者包含:一第一发光二极管,用以发出一第一颜色光;以及一第二发光二极管,用以发出一第二颜色光;其中该第一发光二极管及该第二发光二极管均包含一阳极端及一阴极端,该第一发光二极管的该阳极端及该第二发光二极管的该阳极端耦接于同一信号线,该第一发光二极管的该阴极端及该第二发光二极管的该阴极端耦接于不同信号线。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴宗典林宗毅张正杰刘品妙刘康弘
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1