本发明提供一种承载装置及反应腔室，包括卡盘、隔离环和压环，卡盘的上表面包括用于承载托盘的承载区域，该托盘用于承载被加工工件；隔离环套设在卡盘的整个外周壁上；压环设置在卡盘的上表面上，并压住托盘的边缘处，卡盘的上表面边缘与承载区域的边界之...

本发明提供一种衬底刻蚀方法，包括主刻蚀步骤和过刻蚀步骤，主刻蚀步骤进一步包括步骤S1和步骤S2，当图形侧壁出现拐角时，结束步骤S1，同时开始步骤S2；过刻蚀步骤进一步包括步骤S3和步骤S4，当拐角的高度达到固定值时，结束步骤S3，同时开...

本发明提供的衬底的氮化方法及氮化镓缓冲层的制备方法，其用于在外延生长氮化镓缓冲层之前，且在所述衬底完成图形刻蚀之后，使用感应耦合等离子体加工设备对衬底表面进行氮化处理，包括以下步骤：向反应腔室内通入氮化气体，并开启上电极电源和下电极电源...

本发明提供一种上电极组件及半导体加工设备，其包括设置在腔室盖板上的介质桶、环绕在该介质桶周围的线圈、用于加热介质桶的加热机构、上加热带和下加热带，其中，上加热带和下加热带分别套设在介质桶的外周壁的顶部和底部，且分别位于线圈的上方和下方。...

本发明提供一种半导体加工设备及等离子体产生方法，其包括反应腔室、内线圈机构、外线圈、第一射频电源、第一匹配器、第二射频电源和第二匹配器，其中，在反应腔室的顶部设置有平板状的介质窗；内线圈机构设置在该介质窗上方的中心区域；外线圈为平面线圈...

本发明提供一种进气机构和等离子刻蚀机，属于半导体制造技术领域。本发明的进气机构包括喷嘴和用于将所述喷嘴固定在腔室盖板上的固定组件，在所述喷嘴与所述腔室盖板之间设置有密封圈，所述固定组件包括喷嘴压环、连接保护套和喷嘴挂钩，其中，所述喷嘴压...

本发明提供一种阀门机构及半导体加工设备，其用于开启或封闭腔室的阀口，包括阀板以及用于驱动该阀板上升或下降的驱动装置，其中，阀板设置在腔室的内部，且阀板与阀口分别具有倾斜的对接面，阀板的对接面与阀口的对接面相互平行。阀板通过上升或下降使其...

本发明提供一种反应腔室，包括基座和工件检测装置，其中，基座包括用于承载托盘的承载面，该托盘用于承载至少一个被加工工件。工件检测装置用于检测基座上是否放置有托盘，并发出有关是或者否的数字信号。本发明提供的反应腔室，其可以通过直接读取该数字...

本发明提供一种进气组件及反应腔室，其设置在反应腔室内的顶部，且包括进气板，以及间隔分布在该进气板中的多个进气件，其中，进气件采用绝缘材料制作，且与进气板可拆卸地连接，并且在进气件中设置有进气孔，用以向反应腔室内输送工艺气体。本发明提供的...

本发明提供的磁控管的安装机构及磁控溅射设备，其包括轴承组件、轴承底座、轴承固定座和压紧块，其中，轴承组件用于支撑传动轴。轴承底座用于固定轴承组件。轴承固定座固定在绝缘腔的顶壁上，且套在轴承底座上，并且轴承固定座与轴承底座螺纹连接。通过调...

本发明提供一种下电极及半导体加工设备，其包括用于承载晶片的基座、可变器件和偏压控制装置，该可变器件用于调节加载至基座上的直流偏压；偏压控制装置用于通过自动控制可变器件，而使加载在基座上的直流偏压值与预设的目标偏压值一致。本发明提供的下电...

本发明公开一种用于半导体设备的加热器，加热器，包括：上盖板、下盖板、连接组件、加热丝和背吹气体进气部件，其中：上盖板具有供气通孔；连接组件与下盖板的下表面相连，连接组件用于将上盖板和下盖板以及连接组件自身定位在半导体设备的真空反应腔室内...

本发明提供一种基片刻蚀方法，其包括以下步骤：沉积作业，用以在硅槽侧壁上沉积聚合物；刻蚀作业，用以对所述硅槽侧壁进行刻蚀；重复所述沉积作业和刻蚀作业至少两次；其中，在完成所述刻蚀作业的所有循环次数的过程中，反应腔室的腔室压力按预设规则由预...

本发明提出一种PECVD设备，包括：腔体，晶片托架，多个射频电极，传输装置和升降装置。具体地，所述腔体上设有进气口和出气口，所述腔体设有第一传输口和第二传输口；所述晶片托架包括沿前后方向间隔布置且竖直放置的多个载板，所述晶片托架在所述反...

本发明公开了一种片盒升降装置，包括：壳体，所述壳体内具有承载腔室；片盒托盘，所述片盒托盘设在所述承载腔室内用于承载片盒；驱动器，所述驱动器用于驱动所述片盒托盘在所述承载腔室内沿着竖直方向可升降；和至少四个检测传感器，所述检测传感器分别设...

本发明实施例公开了一种等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备，属于气相沉积技术领域，能够在工艺气体流量和压力改变比较大时，在不改变匀流机构的情况下仍可实现调节气体均匀性。该包括上电极板、下电极板、射频盖和扩散板；所述上电极板通过所述...

本发明提供了一种承载装置及半导体加工设备。该承载装置，包括托盘和盖板，所述托盘上设置有多个用于承载被加工工件的装片位，所述盖板与所述托盘配合，用以将被加工工件固定在二者之间，其特征在于，在所述托盘内设置有具有第一输出口和第二输出口的通气...

本发明提供一种承载装置、反应腔室及半导体加工设备，其设置在反应腔室内，且包括可升降的基座、与之连接的波纹管组件以及绝缘组件，该绝缘组件用于将波纹管组件与基座电绝缘。本发明提供的承载装置，其不仅可以在保证基座不接地的前提下，简化绝缘结构，...

本发明提供一种微电子加工设备，托盘和机械手，所述托盘用于承载被加工工件，所述机械手用于实现被加工工件在所述托盘上的取放操作，所述机械手包括机械手指、机械臂以及连接所述机械手指和所述机械臂的连接部，在所述连接部设置有两个位置传感器，所述两...

本发明提供了一种深硅刻蚀工艺，包括交替执行的刻蚀步骤和沉积步骤，刻蚀步骤的工艺压强设置为预设压强，用以提高工艺环境中自由基相对离子的比例；和/或，刻蚀步骤包括：通入刻蚀气体和在当前工艺压强下平均自由程在预设范围内的保护气体，保护气体用于...