一种图形转移方法技术

本发明专利技术提供了一种图形转移方法，用于将特征图形转移至衬底上，包括：S1，在衬底上形成光刻胶层，采用构图工艺将特征图形转移至光刻胶层上，形成光刻胶图形；S2，开启刻蚀腔室的激励电源和偏压电源，偏压电源为等离子体浸没离子注入工艺对应的第一偏压电源，对光刻胶图形进行等离子体浸没离子注入工艺，而后关闭第一偏压电源；S3，在刻蚀腔室内对表面形成有光刻胶图形的衬底进行等离子体刻蚀工艺，直至特征图形转移至衬底上。该图形转移方法，可实现原位降低光刻胶图形的线条的线宽粗糙度，不仅在很大程度上简化工艺、缩短工艺时间，减小设备成本；而且还可以进一步降低光刻胶图形的线条的线宽粗糙度，从而有利于图形的准确地转移至衬底上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件制造领域，具体涉及一种图形转移方法。
技术介绍
在半导体器件制造领域，为降低器件的制作成本，需要在一定面积的衬底上尽可能多地制备器件，这就需要器件的特征尺寸越小越好。目前，光刻工艺决定了器件的最小特征尺寸，为了将更小特征尺寸的特征图形精准地转移至衬底上，光刻工艺需要面对应尽可能降低线宽粗糙度(LWR)的挑战，所谓线宽粗糙度是指器件线条相对理想器件线条的偏差，具体地，理想器件线条的形状一般为一条直线，而实际上器件线条的形状往往为锯齿状，这样，可能会导致器件性能退化以及良率降低等问题。为了降低线宽粗糙度，目前，采用的方式为：增大进行光刻工艺的光刻系统的光学透镜的数值孔径，这样，会造成光刻系统的成像景深，因此，需要减薄光刻胶的厚度。但是，由于越薄的光刻胶，其耐等离子体刻蚀性能越差，因此，需要在衬底和光刻胶之间形成一层耐等离子体刻蚀的硬掩膜层，一般为非晶碳层。然而，在实际应用中采用在衬底和光刻胶层之间形成一层非晶碳层会存在以下问题：第一，需要将衬底先自刻蚀腔室传输至沉积腔室来形成非晶碳层，之后再自沉积设备传输至刻蚀腔室以继续进行刻蚀工艺，刻蚀工艺还需要增加刻蚀该非晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图形转移方法，用于将特征图形转移至衬底上，其特征在于，包括以下步骤：S1，在所述衬底上形成光刻胶层，采用构图工艺将特征图形转移至光刻胶层上，形成光刻胶图形；S2，开启刻蚀腔室的激励电源和偏压电源，所述偏压电源为等离子体浸没离子注入工艺对应的第一偏压电源，对所述光刻胶图形进行等离子体浸没离子注入工艺，而后关闭所述第一偏压电源。S3，在刻蚀腔室内对表面形成有所述光刻胶图形的衬底进行等离子体刻蚀工艺，直至所述特征图形转移至所述衬底上。

【技术特征摘要】
1.一种图形转移方法，用于将特征图形转移至衬底上，其特征在于，包括以下步骤：S1，在所述衬底上形成光刻胶层，采用构图工艺将特征图形转移至光刻胶层上，形成光刻胶图形；S2，开启刻蚀腔室的激励电源和偏压电源，所述偏压电源为等离子体浸没离子注入工艺对应的第一偏压电源，对所述光刻胶图形进行等离子体浸没离子注入工艺，而后关闭所述第一偏压电源。S3，在刻蚀腔室内对表面形成有所述光刻胶图形的衬底进行等离子体刻蚀工艺，直至所述特征图形转移至所述衬底上。2.根据权利要求1所述的图形转移方法，其特征在于，在所述步骤S2和所述步骤S3中均采用电感耦合方式产生的等离子体；所述步骤S3还包括：切换所述偏压电源为所述刻蚀工艺对应的第二偏压电源并开启。3.根据权利要求1所述的图形转移方法，其特征在于，所述第一偏压电源为高压脉冲直流电源或者高压直流电源。4.根据权利要求3所述的图形转移方法，其特征在于，若所述第一偏压电源为高压脉冲直流电源，其参数包括：电压范围为-1k～-100kV；脉冲频率范围为0～1kHz；脉冲占空比范围为10～90％；若所述第一偏压电源为高压直流电源，其参数包括：电压范...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗巍，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11