【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请案的交叉参考本申请案主张2013年8月6日申请的萨迪斯·杰拉德·祖拉(ThaddeusGerardDziura)等人的先前申请案第61/862,801号美国临时申请案及2014年2月21日申请的萨迪斯·祖拉(ThaddeusDziura)等人的第61/943,098号美国临时申请案的权利，所述申请案的全文出于所有目的而以引用的方式并入本文中。
本专利技术大体上涉及用于半导体晶片表征的方法及系统，且更特定来说，涉及半导体晶片上的印刷图案的质量的表征。
技术介绍
一段时间以来，用于集成电路制造中的光刻或光学光刻系统已普及。此类系统已被证明为在精确地制造及形成产品中的极小细节方面极其有效。在一些光刻系统中，通过经由光束或辐射束(例如UV或紫外光)来转印图案而在衬底上书写电路图像。举例来说，光刻系统可包含光源或辐射源，光源或辐射源投影电路图像穿过光罩并且到涂布有对照射敏感的材料(例如光致抗蚀剂)的硅晶片上。所暴露的光致抗蚀剂通常形成图案，所述图案在显影之后在后续处理步骤(如(例如)沉积及/或蚀刻)期间遮蔽晶片的层。在一种度量衡技术中，可通过收集半导体晶片上的每一位置处的临界尺寸扫描电子显微镜CD-SEM图像并且检验每一图像的图案质量而确定所述晶片上的印刷图案(例如周期性光栅)的质量的表征。此技术是耗时的(例如若干小时)，且关于光栅质量的判断当前可能有些主观。CD-SEM测量也未能提供关于子表面缺陷结构的信息。鉴于上...
【技术保护点】
一种表征半导体晶片上的多个所关注结构的方法，所述方法包括：从度量衡系统的一或多个传感器按多个方位角从特定所关注结构测量多个光谱信号；基于针对所述方位角而获得的所述光谱信号来确定光谱差值；及基于分析所述光谱差值来确定及报告所述特定所关注结构的质量指示。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.08.06 US 61/862,801;2014.02.21 US 61/943,098;1.一种表征半导体晶片上的多个所关注结构的方法，所述方法包括：
从度量衡系统的一或多个传感器按多个方位角从特定所关注结构测量多个光谱
信号；
基于针对所述方位角而获得的所述光谱信号来确定光谱差值；及
基于分析所述光谱差值来确定及报告所述特定所关注结构的质量指示。
2.根据权利要求1所述的方法，其中在不使用模型或从此类特定所关注结构提取定量
特征的情况下执行确定所述特定结构的所述质量指示。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述光谱差值为在多个波长内按所述方位角的所
述光谱信号之间的多个差值的平均差值。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述光谱差值是在多个波长范围中的特定一者下
按所述方位角的所述光谱信号之间的多个差值中的最高一者。
5.根据权利要求3所述的方法，其中所述特定结构为光栅结构，所述方法进一步包括：
为无缺陷光栅结构针对所述方位角来确定理论或经测量的光谱差值；及
通过所述理论光谱差值来正规化所述平均差值以确定缺陷数量。
6.根据权利要求1所述的方法，其中测量光谱包含通过使用二维光束轮廓反射测定来
产生微分模型。
7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括确定图像与具有残余误差的径向对称图
像的最佳拟合之间的微分模型，且基于此类微分模型来确定所述光谱差值是否指示
薄膜或有缺陷结构。
8.根据权利要求1所述的方法，其中从导向式自组装DSA结构、下层非导向式自组
装non-DSA结构或图案化抗蚀剂结构选择所述目标。
9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
使用CDSEM工具来收集量化图案缺陷的参考数据；
从具有已知图案缺陷的图案结构的训练集按所述方位角来获得光谱信号；
确定按不同方位角而测量的光谱信号与残余误差之间的第一关系函数，其中所述
第一关系式基于从所述训练集按所述方位角而获得的所述光谱信号；
基于所述参考数据来确定残余误差与图案缺陷的量化之间的第二关系函数；及
将按所述方位角从所述特定所关注结构测量的所述光谱信号输入到所述第二关
系函数中以确定针对此类特定结构的图案缺陷的量化。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一关系函数及所述第二关系函数基于应用
于针对所述训练集及所述特定结构的所述光谱信号及残余误差的数据简化技术。
11.一种表征半导体晶片上的所关注薄膜的方法，所述方法包括：
在度量衡系统的一或多个传感器处，从所述薄膜的测量位点或经设计为跨越所述
测量位点为均匀的结构的所述测量位点处的多个邻近位置测量多个光谱信号；
确定所述光谱信号的平均信号或中值信号；
从...
【专利技术属性】
技术研发人员：撒迪厄斯·吉拉德·奇乌拉，史帝蓝·伊凡渥夫·潘戴夫，亚历山大·库兹涅佐夫，安德烈·V·舒杰葛洛夫，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。