The invention discloses a method for preparing a small periodic array structure, which relates to the technical field of two-dimensional micro nano devices. The preparation method comprises the preparation of small periodic array structures used in substrate comprises the steps of: A, photoresist spin coating on the substrate; step two, in photoresist by using electron beam lithography scanning exposure pattern, obtained photoresist pattern, wherein the electron beam lithography exposure step for large step, to ensure that the photoresist not between two electron beam exposure; step three, transfer the photoresist pattern to the substrate, get the sample; step four, the sample is placed to glue, get a small periodic structure on the substrate. The preparation method of the invention, the step and the dose control of electron beam exposure, scanning in large area pattern on the electron beam exposure area becomes small periodic pattern, with fast preparation, good controllability, low cost and large area preparation characteristics.
【技术实现步骤摘要】
一种小周期阵列结构的制备方法
本专利技术涉及二维微纳器件
,特别是涉及一种小周期纳米阵列结构的制备方法
技术介绍
随着电子器件以及光学器件的发展,小周期的纳米阵列结构已经越来越多的用到所使用的器件中。例如在光学材料中,光学超材料的响应频率与所用超材料结构的线度与周期直接相关。光学超材料的响应频率越高,其对应的超材料线度和周期就要越小,如果要得到可见光波段的超材料,结构周期需要控制在500纳米以下。在制作电子器件时,越小的电子器件提供的集成度越高。而且当前对集成度要求越来越高,现有技术中已经有各种方式来提高集成度,例如通过制备三维的电子器件来增加高度方向上的集成度、通过先进的设备减小器件的特征尺寸等。通常小周期结构的实现是通过传统的电子束光刻工艺或者极紫外曝光工艺获得的。这些途径虽然可以大大减小器件或结构的特征尺寸,但是这些方法也存在一些问题,例如电子束光刻工艺在制备小周期阵列时速度太慢,而极紫外曝光设备相对昂贵等。而随着小周期结构需求的不断扩大,以上工艺已经不能满足现在科研与加工的需求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种新的小周期阵列结构的制备方法。特别地,本专利技术提供了一种小周期阵列结构的制备方法,用于在衬底上制备小周期阵列结构,包括:步骤一:在衬底上旋涂光刻胶;步骤二:在所述光刻胶上采用电子束光刻工艺扫描曝光图形,得到光刻胶图形,其中,所述电子束光刻工艺曝光的步长为大步长,以保证两电子束斑之间的光刻胶不会被曝光;步骤三:将所述光刻胶图形转移到所述衬底上,得到样品;步骤四:将所述样品置于去胶液中,获得所述衬底上的小周期阵列结构。进一步地,所 ...
【技术保护点】
一种小周期阵列结构的制备方法,包括:步骤一:在衬底上旋涂光刻胶;步骤二:在所述光刻胶上采用电子束光刻工艺扫描曝光图形,得到光刻胶图形,其中,所述电子束光刻工艺曝光的步长为大步长,以保证两电子束斑之间的光刻胶不会被曝光;步骤三:将所述光刻胶图形转移到所述衬底上,得到样品;步骤四:将所述样品置于去胶液中,获得所述衬底上的小周期阵列结构。
【技术特征摘要】
1.一种小周期阵列结构的制备方法,包括:步骤一:在衬底上旋涂光刻胶;步骤二:在所述光刻胶上采用电子束光刻工艺扫描曝光图形,得到光刻胶图形,其中,所述电子束光刻工艺曝光的步长为大步长,以保证两电子束斑之间的光刻胶不会被曝光;步骤三:将所述光刻胶图形转移到所述衬底上,得到样品;步骤四:将所述样品置于去胶液中,获得所述衬底上的小周期阵列结构。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤一中的所述衬底为硅衬底、二氧化硅衬底、蓝宝石衬底或在平面上进行加工的带有薄膜材料的任意平面衬底;优选地,所述衬底为在所述硅衬底基片上生长氮化硅膜、二氧化硅膜或碳化硅膜。3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤一中的所述光刻胶为正胶或负胶;优选地,所述正胶为聚甲基丙烯酸甲酯;优选地,所述负胶为氢硅倍半环氧乙烷。4.根据权利要求1-3中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述步骤二中的曝光图形为单个图形或复杂图形,其中,所述复杂图形为两个或者多个所述单个图形的错位重叠。5.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:顾长志,潘如豪,李俊杰,刘哲,唐成春,杨海方,
申请(专利权)人:中国科学院物理研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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