一种反应腔室和基片加工设备制造技术

本发明专利技术提供一种反应腔室和基片加工设备，属于微电子技术领域，其可解决现有的反应腔室中，由于用于向晶片底部通入气体的气体引入单元位于基座内部，在基座维护时容易损坏，而且重新确认其位置也比较困难的问题。本发明专利技术的反应腔室，包括基座，基座用于支撑晶片，基座内设有向晶片底部通入气体的第一气体通道和气体转接单元，所述反应腔室设置有贯穿其侧壁的第二气体通道，所述反应腔室外设置有气体接入单元；所述气体依次通过所述气体接入单元、第二气体通道、气体转接单元和第一气体通道，到达晶片底部，以使晶片的温度均匀。

Reaction chamber and substrate processing equipment

The invention provides a reaction chamber and a substrate processing device, which belongs to the technical field of microelectronics, which can solve the existing in the reaction chamber, the gas for the gas to pass into the bottom of the wafer introduction unit is located in the base, easy to damage in the base maintenance, and to confirm its location is also a difficult problem. The reaction chamber, the invention comprises a base, a base for supporting a wafer, base is provided with a first gas channel and gas transfer unit to the wafer through the bottom of the gas, the reaction chamber is provided with second gas passages through the side wall of the reaction chamber is provided with outdoor gas access unit; the gas passes through the gas access unit, second gas channel, gas transfer unit and a first gas channel, reaching the wafer at the bottom, so that the chip temperature uniformity.

【技术实现步骤摘要】
一种反应腔室和基片加工设备
本专利技术属于微电子
，具体涉及一种反应腔室和基片加工设备。
技术介绍
请参照图1至3，如图1所示的反应腔室的结构是目前比较常用的结构。在该反应腔室内，工艺支撑单元7包括工艺支撑单元凸台701和工艺支撑单元通道702，工艺支撑单元7通过侧面伸出的工艺支撑单元凸台701与腔室本体1固定，工艺支撑单元7通过与腔室本体1连接接地，晶片支撑单元3与接口盘5连接导通射频，隔离环4将接口盘5与工艺支撑单元7电气隔开，保护环2设置于隔离环4上方，晶片支撑单元3上承载晶片，为了保证晶片的温度均匀，需要在晶片底面通入气体，通常为氦气，晶片支撑单元3和接口盘5内部设计有气体通道，接口盘5底面连接气体引入单元6，气体引入单元6位于基座内。气体引入单元6是一种典型的气体管路连接结构，包括：气体接入法兰601、气体引入单元本体602、O型环603、气体引入单元压环604、气体引入单元螺母605和气体引入单元软管606，具体结构如图2所示，气体接入法兰601与气体接入单元本体602通过焊接方式连接，气体引入单元本体602设计外螺纹，气体引入单元螺母605设计内螺纹，安装的时候先本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反应腔室，包括基座，所述基座用于支撑晶片，其特征在于，所述基座内设有向所述晶片底部通入气体的第一气体通道和气体转接单元，所述反应腔室设置有贯穿其侧壁的第二气体通道，所述反应腔室外设置有气体接入单元；所述气体依次通过所述气体接入单元、第二气体通道、气体转接单元和第一气体通道，到达晶片底部，以使晶片的温度均匀。

【技术特征摘要】
1.一种反应腔室，包括基座，所述基座用于支撑晶片，其特征在于，所述基座内设有向所述晶片底部通入气体的第一气体通道和气体转接单元，所述反应腔室设置有贯穿其侧壁的第二气体通道，所述反应腔室外设置有气体接入单元；所述气体依次通过所述气体接入单元、第二气体通道、气体转接单元和第一气体通道，到达晶片底部，以使晶片的温度均匀。2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述气体转接单元包括内部均为空心结构且相互连通的密封端、转接管、安装法兰和转接法兰，所述气体依次通过所述密封端、转接管、安装法兰和转接法兰。3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述基座还包括隔离环和工艺支撑单元，所述隔离环位于所述工艺支撑单元上方，所述隔离环中设置有与所述转接法兰匹配的第一槽，所述工艺支撑单元中设置有与所述安装法兰匹配的第二槽、与所述转接管匹配的第三槽和与所述密封端匹配的第四槽；其中，所述转接法兰设置于所述第一槽中，所述安装法兰设置于所述第二槽中，所述转接管设置于所述第三槽中，所述密封端设置于所述第四槽中。4.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述基座还包括：晶片支撑单元和接口盘，所述晶片支撑单元位于所述接口盘上方，所述接口盘位于所述工艺支撑单元上方，并被所述隔离环包围；所述第一气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11