一种萘基烷氧基硅烷单体的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种萘基烷氧基硅烷的制备方法，包括如下步骤：在有机溶剂中，将烷氧基硅烷、钠和1‑卤萘混合进行反应，得到萘基烷氧基硅烷，其中，所述烷氧基硅烷选自四甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷和甲基三乙氧基硅烷中任一种。本发明专利技术操作简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种萘基烷氧基硅烷单体的制备方法，具体属于有机硅材料

技术介绍
基于发光二极管(LED)的半导体照明具有高光效和长寿命的特点，已成为第四代照明光源。封装材料的耐老化性能对LED照明器件的光效和使用寿命有非常重要的影响。过去几十年，环氧树脂因力学性能好、透明性能高、成本低等特点，被广泛用作LED封装材料。但随着人们对LED功率和亮度要求的不断提高，传统的环氧树脂封装材料在耐老化性能方面已经不能满足功率型LED的要求。例如，环氧树脂在使用过程中由于紫外光的照射和热老化均容易出现颜色变黄，透光率下降，从而大大缩短了LED器件的使用寿命。近年来，有机硅材料因其具有出色的耐紫外光和热老化性能，吸引了众多LED制造商的关注，现已成为白光LED封装材料的最佳选择。有机硅材料如硅胶、硅树脂一般是通过有机硅单体（如环硅氧烷单体、氟硅烷和烷氧基硅烷）进行阴离子聚合或者水解缩合反应制备的。按照固化机理不同，硅胶和硅树脂分为加成型和缩合型两类。由于缩合型硅胶和硅树脂在固化过程中有小分子的释放，因此一般不适用于LED封装。加成型硅胶和硅树脂的固化一般通过硅氢键和硅乙烯基在铂催化剂的存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种萘基烷氧基硅烷单体的制备方法，其特征在于：所述的制备方法包括如下步骤：在反应器中，将烷氧基硅烷、钠和1‑卤萘混合进行武兹反应，得到含有萘基烷氧基硅烷反应液，经氯硅烷中和后，过滤，滤液经过减压蒸馏得到粗产品，粗产品经过减压精馏得萘基烷氧基硅烷单体；其中，所述的烷氧基硅烷选自四甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷和甲基三乙氧基硅烷中任一种。

【技术特征摘要】
1.一种萘基烷氧基硅烷单体的制备方法，其特征在于：所述的制备方法包括如下步骤：在反应器中，将烷氧基硅烷、钠和1-卤萘混合进行武兹反应，得到含有萘基烷氧基硅烷反应液，经氯硅烷中和后，过滤，滤液经过减压蒸馏得到粗产品，粗产品经过减压精馏得萘基烷氧基硅烷单体；其中，所述的烷氧基硅烷选自四甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷和甲基三乙氧基硅烷中任一种。2.根据权利1所述的制备方法，其特征在于：所述1-卤萘选自1-氯萘、1-溴萘、1-碘萘中至少一种；所述烷氧基硅烷、钠、1-卤萘的摩尔比为：（0.3-0.6）：（0.1-0.5）：（0.1-0.6）；所述武兹反应的反应温度为60-120℃，反应时间为2-8h。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：将所述烷氧基硅烷、钠按所述比例混合得到混合物，并将所述混合物的温度控制在30-60℃，再向所述混合物中滴加所述比例的所述1-卤萘，滴加完毕后，升温至60-120℃，反应2-8h，得到所述萘基烷氧基硅烷。4.根据权利要求1-3中任一项所述的制备方法，其特征在于：所述萘基烷氧基硅烷为式Ⅰ所示化合物、式Ⅱ所示化合物、式Ⅲ所示化合物和式Ⅳ所示化合物中任意一种。。5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于：还包括对所述武兹反应所得物加入氯硅烷中和后进行过滤，并收集过滤液，对所述过滤液进行减压精馏的...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭游，尹健美，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：九江学院，
类型：发明
国别省市：江西;36