低导通电阻功率半导体组件制造技术

一种低导通电阻功率半导体组件，包括一具有外延层的基板、一栅极结构、一终端结构及一图案化导电层，其中，该外延层具有一第一沟渠及一第二沟渠，该栅极结构设置于该第一沟渠并包括一栅极电极及一设置于该栅极电极之下方的遮蔽电极，该终端结构设置于该第二沟渠并包括一终端电极，该图案化导电层设置于该层间介电层上。本发明专利技术的特点在于，该遮蔽电极及该终端电极被设计为施加栅极电压，该图案化导电层设置于该外延层的上方，并借助一第一导电插塞及一第二导电插塞分别电接触该栅极结构的栅极电极及该终端结构的终端电极。

【技术实现步骤摘要】
201410687912

【技术保护点】
一种低导通电阻功率半导体组件，其特征在于，包括：一基板，其上定义有一栅极导通区域；一外延层，设置于所述基板上，并具有至少一第一沟渠及至少一第二沟渠；一栅极结构，设置于所述第一沟渠内，其中，所述栅极结构包括一栅极电极、一设置于所述栅极电极的下方的遮蔽电极及一完全覆盖所述栅极电极及所述遮蔽电极的隔离介电质；一终端结构，设置于所述第二沟渠内，其中，所述终端结构包括一终端电极及一完全覆盖所述终端电极的隔离介电质；一基体区，形成于所述外延层中且环绕所述第一沟渠及所述第二沟渠；一层间介电层，设置于所述基体区上；以及一图案化导电层，设置于所述层间介电层上，其中，所述图案化导电层借助一第一导电插塞及一第二导电插塞分别电接触所述栅极结构的栅极电极及所述终端结构的终端电极；其中，所述栅极结构的栅极电极及所述终端结构的终端电极电连接一栅极电压。

【技术特征摘要】
1.一种低导通电阻功率半导体组件，其特征在于，包括：
一基板，其上定义有一栅极导通区域；
一外延层，设置于所述基板上，并具有至少一第一沟渠及至少
一第二沟渠；
一栅极结构，设置于所述第一沟渠内，其中，所述栅极结构包
括一栅极电极、一设置于所述栅极电极的下方的遮蔽电极及一完全
覆盖所述栅极电极及所述遮蔽电极的隔离介电质；
一终端结构，设置于所述第二沟渠内，其中，所述终端结构包
括一终端电极及一完全覆盖所述终端电极的隔离介电质；
一基体区，形成于所述外延层中且环绕所述第一沟渠及所述第
二沟渠；
一层间介电层，设置于所述基体区上；以及
一图案化导电层，设置于所述层间介电层上，其中，所述图案
化导电层借助一第一导电插塞及一第二导电插塞分别电接触所述栅
极结构的栅极电极及所述终端结构的终端电极；
其中，所述栅极结构的栅极电极及所述终端结构的终端电极电
连接一栅极电压。
2.根据权利要求1所述的低导通电阻功率半导体组件，更进一步包括
多个源极区及多个重度基体区，所述多个源极区形成于所述基体区
中且与所述第一沟槽呈间隔排列，所述多个重度基体区沿一第一方
向与所述第一沟槽呈间隔排列，同时沿一垂直于所述第一方向的第
二方向与所述多个源极区呈间隔排列。
3.根据权利要求1所述的低导通电阻功率半导体组件，其中，所述栅
极结构还包括一电极盖体，所述电极盖体设置于所述栅极电极的上
方，所述电极盖体的材料为氮化硅(Si3N4)。
4.根据权利要求1所述的低导通电阻功率半导体组件，其中，所述外
延层进一步分成一位于所述基板上的第一外延层及一位于所述第一
外延层上的第二外延层，所述基板、所述第一外延层及所述第二外
延层具有第一导电型，所述基板的掺杂浓度高于所述第一外延层的
掺杂浓度，且所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李柏贤，杨国良，
申请(专利权)人：大中积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71