绝缘栅双极晶体管结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种绝缘栅双极晶体管结构及其制作方法。首先，在具有一第一导电类型的半导体基底上形成具有一第二导电类型的一外延层以及一埋入层，其中半导体基底具有一主动组件区以及一终端区，且埋入层位于外延层中。然后，移除终端区的埋入层以及其上的外延层，以于终端区之外延层上形成一浅沟槽。随后，形成一金氧半场效应晶体管结构于主动组件区的外延层中，且形成多个第一环掺杂区于浅沟槽底部的外延层中。借此，可降低开启电压，并避免运送成本增加与半导体基底受到损坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管(insulatedgate bipolar transistor, IGBT)被视为是一种结合金氧半场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,M0SFET)和双载子接面晶体管(bipolar junction transistor,BJT)的复合结构。绝缘栅双极晶体管因为结合了金氧半场效应晶体管易于利用闸极控制的特性，以及双载子接面晶体管具低导通电压压降的特性，因此广泛应用于高电压高功率之开关组件。请参考图I,图I为公知绝缘栅双极晶体管之剖视示意图。如图I所示，公知 绝缘栅双极晶体管10于一 P型半导体基底12上形成一 N型外延层16。接着，于N型外延层16中形成二闸极结构18。各闸极结构18包括一闸极20以及一用于电性隔离闸极20与N型外延层16的闸极绝缘层22。接下来，于各闸极结构18间的N型外延层16中形成一 P型基体掺杂区24，并且随后于P型基体掺杂区24中形成二 N型射极掺杂区26，分别接触各闸极绝缘层22且作为绝缘栅双极晶体管10中寄生金氧半场效应晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘栅双极晶体管结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体基底，该半导体基底具有一第一导电类型，且该半导体基底具有一主动组件区以及一终端区；形成一外延层以及一埋入层于该半导体基底上，且该外延层与该埋入层具有一第二导电类型，其中该埋入层位于该外延层中；移除该终端区的该埋入层以及其上的该外延层，以于终端区之该外延层上形成一浅沟槽；以及形成一金氧半场效应晶体管结构于该主动组件区的该外延层中，且形成多个第一环掺杂区于该浅沟槽底部的该外延层中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林伟捷，林毓诚，辛裕明，
申请(专利权)人：大中积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：