【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子芯片制造领域中的锗硅Si/Ge异质结双极型晶体管HBT的工艺制造方法，尤其指光刻工艺方法。
技术介绍
Si是目前大规模生产的半导体器件最主要的材料之一，它具有原材料制备简便，自然界含量丰富，具有半导体特性等基本特性而被用于制备半导体器件。但是对于高频高速应用，Si的禁带宽度较宽，载流子的迁移速度受到制约，因此人们通常引入一些其它元素形成Si的合金来减低禁带宽度，提高载流子的迁移速度，其中Ge是其中最重要和主要的材料之一。Ge具有和Si类似的晶体结构，与Si形成合金工艺容易实现且匹配性高，同时Ge的引入可以有效地降低禁带宽度，实现高速器件的应用，同时Si/Ge的合金器件很容易和常规的Si器件进行工艺整合，因此Si/Ge器件是很常用的一种应用于高速和高频通信的器件。同时Si/Ge为本征半导体，为了实际器件应用，还会进行掺杂形成n，P型。另外为了调整薄膜的应力，还会掺杂中型粒子如C。基于以上特性和工艺，Si/Ge HBT是目前最常用的高频器件之一。针对高频器件，Ft, Fmax是最重要的器件指标。而Ft, Fmax和基区电阻关系很大,尤其是Fma...
【技术保护点】
一种锗硅HBT发射级光刻对准精度优化的方法，其特征为，发射级对发射级开口层的光刻对准标记和叠对精准测量标识OVL?mark均放置在场区，工艺流程包括：有源区光刻刻蚀产生发射级对发射级开口对准标记和叠对精准测量标识OVL?mark的衬底区；SiO2沉积与化学机械抛光CMP产生发射级对发射级开口对准标记和叠对精准测量标识OVL?mark的SiO2材料构成的衬底；基区BP刻蚀在发射级开口之前，且发射级开口膜层沉积在基区BP刻蚀之后；发射级开口光刻刻蚀后追加的湿法刻蚀。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王雷，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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