绝缘栅双极晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述绝缘栅双极晶体管制作方法包括：采用轻掺杂的硅衬底作为漂移区；在所述漂移区内形成基区和沟槽栅区，所述基区位于所述沟槽栅区的两侧，且所述沟槽栅区的深度大于所述基区的深度；在所述基区内形成发射极区。本发明专利技术所提供的绝缘栅双极晶体管制作方法，通过在漂移区内形成沟槽栅区，从而使得导电沟道垂直化，且由于沟槽栅区的深度大于所述基区的深度，因此不存在JFET区，使得电流更加均匀。这种具有沟槽栅区结构的绝缘栅双极晶体管不仅可减小芯片的面积，而且可减小产生闩锁效应发生的几率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制作工艺
，更具体地说，涉及一种。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管(InsulateGate Bipolar Transistor, IGBT)是由 BJT(双极型三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。现有的耐高压1200V的IGBT多为平面栅型结构，其制作工艺一般包括如下步骤 (I) 一次氧化；(2) ring的光亥_刻蚀；(3)场区注入和退火；⑷有源区SDG的光刻、刻蚀和退火；(5)栅氧和多晶硅的生长；(6) 017的光刻和刻蚀；(7) -冊11注入；(8)吧0注入；(9)厚氧淀积；(10)孔的光刻和刻蚀；(11)孔注入和回流；(12)金属溅射、光刻和刻蚀；(13)pad刻蚀。依照上述工艺步骤所形成的平面栅型IGBT的结构示意图如图I所示，在该IGBT结构中，位于栅极2下方的漂移区1，夹在两个相邻的基区3中间(所以相邻基区3之间的漂移区I又称本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘栅双极晶体管制作方法，其特征在于，包括：采用轻掺杂的硅衬底作为漂移区；在所述漂移区内形成基区和沟槽栅区，所述基区位于所述沟槽栅区的两侧，且所述沟槽栅区的深度大于所述基区的深度；在所述基区内形成发射极区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙宝刚，左小珍，朱阳军，卢烁今，吴振兴，赵佳，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：