IGBT器件及其制作方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种IGBT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括本体层、位于本体层表面内的阱区和源区以及位于本体层表面上的第一栅介质层和栅区；去除部分阱区和源区材料，保留栅区下方的源区材料和部分栅区之外的源区材料，以在本体层表面内形成一浅沟槽；在浅沟槽下方的阱区表面内形成掺杂区，掺杂区的横向宽度未深入到栅区下方的沟道区，且掺杂区的掺杂浓度大于阱区的掺杂浓度。本发明专利技术实施例在器件的阱区内形成高掺杂浓度的浅结，并且减小了掺杂区与源区的接触面积，从而降低了源区与阱区接触面的接触电阻，避免了闩锁效应，且由于浅结并未扩散到沟道处，保证了该IGBT器件具有较低的阈值电压，改善了器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，更具体地说，涉及一种IGBT器件及其制作方法。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGate Bipolar Transistor,简称 IGBT)是由双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET器件的高输入阻抗和电力晶体管(即巨型晶体管，简称GTR)的低导通压降两方面的优点，由于IGBT具有驱动功率小而饱和压降低的优点，目前IGBT作为一种新 型的电力电子器件被广泛应用到各个领域。对于平面栅结构的IGBT器件，如图I所示，以N型沟道为例，主要包括N型轻掺杂(N-)的衬底101及其正面上的栅介质层104、栅极105 ；位于N-衬底101表面内的P型阱区102 ( 一般为P型轻掺杂)，位于P型阱区102表面内的N型源区103 ；位于P型阱区102和N型源区103表面上的发射极106 ；位于N-衬底101背面的P型重掺杂漏区107，位于漏区107表面的集电极108。图I所示的衬底101的等效电路结构如图2所示，图I中的IGBT器件具有3个PN结，即图中的Jl、J2和J3，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT器件制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括本体层、位于所述本体层表面内的阱区和源区以及位于所述本体层表面上的第一栅介质层和栅区；去除部分阱区和源区材料，保留所述栅区下方的源区材料和部分栅区之外的源区材料，以在所述本体层表面内形成一浅沟槽；在所述浅沟槽下方的阱区表面内形成掺杂区，所述掺杂区的横向宽度未深入到所述栅区下方的沟道区，并且所述掺杂区的掺杂浓度大于所述阱区的掺杂浓度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴振兴，朱阳军，卢烁今，孙宝刚，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：