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本发明实施例公开了一种IGBT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括本体层、位于本体层表面内的阱区和源区以及位于本体层表面上的第一栅介质层和栅区；去除部分阱区和源区材料，保留栅区下方的源区材料和部分栅区之外的源区材料，以在本体...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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