【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别涉及一种在锗硅异质结双极型三极管功率器件制造工艺中，为补偿在无图形的光片上生长锗硅时边缘变薄造成的集电极电流变大引起的直流电流方法倍数增大的方法。
技术介绍
对IG赫兹范围的射频应用，锗硅异质结双极型三极管器件一般采用背面引出集电极的方式，即在N型重掺杂基板上进行低N掺杂的外延成长来形成集电区。它的优点是工艺简单，可比传统工艺少一半的光罩层，不足之处是在光片上生长锗硅时，从晶片边缘大 致12毫米开始，锗硅外延层的厚度会急剧下降，硅片上锗硅外延层的各层厚度边缘会比中心低，厚度之差最大可达20%，这是由于外延设备加热方法设计和光片热传导的综合作用导致的。由于集电极电流与锗硅外延层的掺杂浓度和厚度之乘积成反比，这样一来在整个单晶硅片面内，如果采用同样的发射极多晶硅的掺杂浓度，则器件的关键一个参数——直流电流放大倍数的分布会很宽，甚至在离边8毫米内会超上限而造成良率下降。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，可有效地补偿集电极电流的上升，使直流电路放大倍数分布更紧，提高产品的成品率。为解决上述技术问题，本专利技术的，所述...
【技术保护点】
一种锗硅边缘变薄引起的直流电流放大倍数增大的补偿方法，所述锗硅层形成于外延层上，外延层形成于硅衬底上，所述锗硅层上淀积介质膜，刻蚀介质膜形成发射极窗口，淀积发射极多晶硅，其特征在于，所述补偿方法步骤如下：第1步，进行第一次离子注入；第2步，镀一层负光胶；第3步，进行8～12毫米的晶片边缘曝光，显影去除晶片中间的光阻；第4步，进行第二次离子注入。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周正良，李昊，苏波，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。