IGBT单晶片背面真空退火工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种IGBT单晶片背面真空退火工艺。该工艺采用真空退火炉，炉内加热升温采用热电偶的控制方式，其步骤是：1.将单晶片垂直放置在石英舟上，将石英舟推进到真空室内，关闭真空炉门；2.抽取真空，当真空度达到2～8Pa时，停止抽真空，然后通过炉内热电偶对真空室进行加热升温，温度升至范围控制在400℃-600℃之间；3.当炉内温度降至常温时，充入N2，打开真空炉门，将石英舟从真空室内拉出，取下经真空退火完成杂质激活的单晶片。采用真空退火工艺实现了成本低，操作方便，生产效率高，安全可靠。同时采用本工艺，隔绝了背面金属与大气的接触，阻止金属的氧化，有效抑制了封装时存在的金属脱落问题，经检测产品电性能参数良好。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体功率器件的制造工艺，特别是涉及一种IGBT单晶片背面真空退火工艺。
技术介绍
功率半导体器件的作用是电能变换和电能控制，使电能更高效、更节能、更环保地使用，将“粗电”变为“精电”，因此它是节能减排的基础技术和核心技术。IGBT (绝缘栅双极晶体管)作为新一代的功率器件，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，兼具了 MOSFET和功率晶体管的优点，它既有功率MOSFET易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大，损耗小的显著优点。是未来应用发展的必然方向，对以往的功率器件产品有一个逐步替代的作用。 在非穿透型IGBT器件制造过程中需要在单晶片背面完成注入工艺，在离子注入之后，需要通过退火激活注入的杂质。传统退火工艺采包括H2退火和激光退火，H2退火工艺存在封装焊接时金属容易脱落现象，激光退火工艺成本高，由于操作较为复杂进而影响生产效率。如果不使用退火工艺，则存在正向导通压降较大问题。因此，如何解决该问题，是技术人员面临的重要课题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术存在的问题，本专利技术尝试采用真空退火工艺替代传统的工艺，力争在保本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT单晶片背面真空退火工艺，其特征在于，该工艺采用真空退火炉，炉内加热升温采用热电偶的控制方式，其工艺步骤如下：（一）.将单晶片垂直放置在石英舟上，将石英舟推进到真空室内，关闭真空炉门；（二）.抽取真空，当真空度达到2～8Pa时，停止抽真空，然后通过炉内热电偶对真空室进行加热升温，温度升至范围控制在400℃？600℃之间；（三）.当炉内温度降至常温时，充入N2，打开真空炉门，将石英舟从真空室内拉出，取下经真空退火完成杂质激活的单晶片。

【技术特征摘要】
1.一种IGBT单晶片背面真空退火工艺，其特征在于，该工艺采用真空退火炉，炉内加热升温采用热电偶的控制方式，其工艺步骤如下 (一).将单晶片垂直放置在石英舟上，将石英舟推进到真空室内，关闭真空炉门； (二)·抽取真空，当真空度达...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆界江，饶祖刚，刘欣，高景倩，宋楠，陈芳，王志刚，
申请(专利权)人：天津中环半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：