【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体功率器件的制造工艺，特别是涉及一种IGBT单晶片背面真空退火工艺。
技术介绍
功率半导体器件的作用是电能变换和电能控制，使电能更高效、更节能、更环保地使用，将“粗电”变为“精电”，因此它是节能减排的基础技术和核心技术。IGBT (绝缘栅双极晶体管)作为新一代的功率器件，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，兼具了 MOSFET和功率晶体管的优点，它既有功率MOSFET易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大，损耗小的显著优点。是未来应用发展的必然方向，对以往的功率器件产品有一个逐步替代的作用。 在非穿透型IGBT器件制造过程中需要在单晶片背面完成注入工艺，在离子注入之后，需要通过退火激活注入的杂质。传统退火工艺采包括H2退火和激光退火，H2退火工艺存在封装焊接时金属容易脱落现象，激光退火工艺成本高，由于操作较为复杂进而影响生产效率。如果不使用退火工艺，则存在正向导通压降较大问题。因此，如何解决该问题，是技术人员面临的重要课题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术存在的问题，本专利技术尝试采用真空退火工艺替代传统的工艺，力争在保证后道封装良好的基础上达到降低激活注入杂质、降低通态压降的目的。为了使单晶片背面金属层与单晶片背面的N型或P型参杂层之间形成良好的欧姆接触，其背面参杂层主要由单晶片背面的离子注入和随后的退火两步工艺形成，经多次试验，终于成功实现了 IGBT单晶片背面真空退火工艺。本专利技术采取的技术方案是一种IGBT单晶片背面真空退火工艺，其特征在于，该工艺采用真空退火炉，炉内加热升温采用热电...
【技术保护点】
一种IGBT单晶片背面真空退火工艺，其特征在于，该工艺采用真空退火炉，炉内加热升温采用热电偶的控制方式，其工艺步骤如下：（一）.将单晶片垂直放置在石英舟上，将石英舟推进到真空室内，关闭真空炉门；（二）.抽取真空，当真空度达到2～8Pa时，停止抽真空，然后通过炉内热电偶对真空室进行加热升温，温度升至范围控制在400℃？600℃之间；（三）.当炉内温度降至常温时，充入N2，打开真空炉门，将石英舟从真空室内拉出，取下经真空退火完成杂质激活的单晶片。
【技术特征摘要】
1.一种IGBT单晶片背面真空退火工艺，其特征在于，该工艺采用真空退火炉，炉内加热升温采用热电偶的控制方式，其工艺步骤如下 (一).将单晶片垂直放置在石英舟上，将石英舟推进到真空室内，关闭真空炉门； (二)·抽取真空，当真空度达...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆界江，饶祖刚，刘欣，高景倩，宋楠，陈芳，王志刚，
申请(专利权)人：天津中环半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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