温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及一种IGBT单晶片背面真空退火工艺。该工艺采用真空退火炉，炉内加热升温采用热电偶的控制方式，其步骤是：1.将单晶片垂直放置在石英舟上，将石英舟推进到真空室内，关闭真空炉门；2.抽取真空，当真空度达到2～8Pa时，停止抽真空，然后通...该专利属于天津中环半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津中环半导体股份有限公司授权不得商用。
温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及一种IGBT单晶片背面真空退火工艺。该工艺采用真空退火炉，炉内加热升温采用热电偶的控制方式，其步骤是：1.将单晶片垂直放置在石英舟上，将石英舟推进到真空室内，关闭真空炉门；2.抽取真空，当真空度达到2～8Pa时，停止抽真空，然后通...