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本发明公开了一种锗硅边缘变薄引起的直流电流放大倍数增大的补偿方法，所述锗硅层形成于外延层上，外延层形成于硅衬底上，所述锗硅层上淀积介质膜，刻蚀介质膜形成发射极窗口，淀积发射极多晶硅。补偿方法步骤如下：先进行第一次离子注入；镀一层负光胶；进行...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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