【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极以及硅锗源/漏级；在硅锗层上外延一层硅；对外延硅层进行非晶化处理；在外延硅层上沉积镍铂层；对外延硅层和镍铂层进行第一次快速退火；湿法去除未反应的镍；对外延硅层和镍铂层进行第二次快速退火。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡俊晟，孔祥涛，韩晓刚，陈建维，张旭升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。