【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种栅介质层的制作方法，其特征在于，所述方法包括：利用热生长法在衬底上形成材质为氧化硅或氮氧化硅的界面层；在所述界面层上形成高k栅介质层；在界面层的制作步骤之后、高k栅介质层的制作步骤之前，利用含有O3或含有H2SO4、H2O2的水溶液对所述界面层进行第一表面处理；或者，在高k栅介质层的制作过程中，利用含有O3或含有H2SO4、H2O2的水溶液对所述高k栅介质层进行第二表面处理。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：何永根，陈勇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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