鳍状晶体管与其制作方法技术

本发明专利技术提供一种鳍状晶体管与其制作方法。该制作方法首先提供基底，并在基底上形成掩模层。接着于掩模层以及基底中形成第一沟槽，并在第一沟槽中形成半导体层。然后移除掩模层，使得半导体层形成鳍状结构嵌入在基底中且突出于基底上。最后，形成栅极于鳍状结构上。

【技术实现步骤摘要】
鳍状晶体管与其制作方法
本专利技术涉及一种鳍状晶体管以及其制作方法，特别来说，是涉及一种具有嵌入式鳍状结构的鳍状晶体管以及其制作方法。
技术介绍
近年来，随着各种消费性电子产品不断的朝小型化发展，半导体元件设计的尺寸亦不断缩小，以符合高集成度、高效能和低耗电的潮流以及产品需求。然而，随着电子产品的小型化发展，现有的平面晶体管(planartransistor)已经无法满足产品的需求。因此，目前发展出一种非平面晶体管(non-planar)的鳍状晶体管(Fin-FET)技术，其具有立体的栅极沟道(channel)结构，可有效减少基底的漏电、降低短沟道效应，并具有较高的驱动电流。但由于鳍状晶体管是属于立体的结构，较传统结构复杂，制造难度也偏高，一般通常是在硅绝缘(silicon-on-insulator，SOI)基底上形成，若要相容于现有的硅基底工艺则有一定的难度。因此，还需要一种新颖的鳍状晶体管装置的制作方法。
技术实现思路
本专利技术于是提出一种鳍状晶体管结构以及其制作方法，可应用于一般硅基底，且具有良好的产品品质。根据实施例，本专利技术提供一种鳍状晶体管的制作方法。首先提供基底，并在基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成鳍状晶体管的方法，包括：提供基底；于该基底上形成掩模层；于该掩模层以及该基底中形成第一沟槽；于该第一沟槽中形成半导体层；移除该掩模层，使得该半导体层形成鳍状结构嵌入在该基底中且突出于该基底上；以及形成栅极覆盖在该鳍状结构上。

【技术特征摘要】
1.一种形成鳍状晶体管的方法，包括：提供基底；于该基底上形成掩模层；于该掩模层以及该基底中形成第一沟槽，其中该第一沟槽具有渐缩的侧壁，且该渐缩的侧壁具有小于30度的角度；于该第一沟槽中形成半导体层；移除该掩模层，使得该半导体层形成鳍状结构嵌入在该基底中且突出于该基底上；以及形成栅极覆盖在该鳍状结构上。2.如权利要求1所述的形成鳍状晶体管的方法，还包括形成浅沟槽隔离以定义有源区。3.如权利要求2所述的形成鳍状晶体管的方法，其中先形成该浅沟槽隔离，再移除该掩模层。4.如权利要求1所述的形成鳍状晶体管的方法，其中形成该半导体层的方法包括选择性外延生长工艺。5.如权利要求1所述的形成鳍状晶体管的方法，其中形成该半导体层的方法包括循环退火工艺。6.如权利要求1所述的形成鳍状晶体管的方法，还包括在该基底以及该掩模层之间形成物质层。7.如权利要求6所述的形成鳍状晶体管的方法，其中该物质层包括二氧化硅。8.如权利要求1所述的形成鳍状晶体管的方法，其中该半导体层包括硅层、锗层、硅锗层或上述的组合。9.一种形成鳍状晶体管的方法，包括：提供基底；于该基底上形成掩模层；于该掩模层以及该基底中形成第一沟槽，其中该第一沟槽具有渐缩的侧壁，且该渐缩的侧壁具有小于30度的角度；于该第一沟槽中形成半导体层；形成浅沟槽隔离以定义有源区，其中该半导体层设置于该有源区中；形成该浅沟槽隔离后，移除该掩模层，使得该半导体层形成鳍状结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡振华，黄瑞民，戴圣辉，林俊贤，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：