【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法，包括：在锗基或三五族化合物基衬底上淀积高K栅介质后，对高K栅介质进行氟等离子体处理，并在处理过程中施加引导电场，电场使氟离子加速到栅介质表面时能量达到5～50eV，氟等离子体漂移到高K栅介质中，高K栅介质中的氟离子的密度与高K介质中氧原子密度比为0.01～0.15∶1。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄如，林猛，安霞，黎明，云全新，李志强，李敏，刘朋强，张兴，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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