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本发明提供了一种在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法，包括：形成有栅极以及硅锗源/漏级的半导体衬底，在硅锗层上外延一层硅，对外延硅层进行非晶化处理，在外延硅层上沉积镍铂层，第一次快速退火，湿法去除未反应的镍之后进行第二次快速退火。通过在硅...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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