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本发明公开了一种锗硅HBT发射级光刻对准精度优化的方法，发射级对发射级开口层的光刻对准标记和叠对精准测量标识OVL?mark均放置在场区，工艺流程包括：有源区光刻刻蚀产生发射级对发射级开口对准标记和叠对精准测量标识OVL?mark的衬底区；...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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