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本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管结构及其制作方法。首先，在具有一第一导电类型的半导体基底上形成具有一第二导电类型的一外延层以及一埋入层，其中半导体基底具有一主动组件区以及一终端区，且埋入层位于外延层中。然后，移除终端区的埋入层以及其上的外延...
该专利属于大中积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过大中积体电路股份有限公司授权不得商用。

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