有赝埋层的锗硅HBT降低集电极电阻的制造方法及器件技术

本发明专利技术公开了一种有赝埋层的锗硅HBT器件，集电区由形成于浅槽之间的第一N型离子注入区、形成于第一离子注入区中的第二N型离子注入区组成；N型赝埋层形成于有源区两侧的浅槽底部，赝埋层与浅槽接触处形成有金属硅化物；本征基区由锗硅外延层组成，外基区包括形成于浅槽上部且和本征基区接触的外基区多晶硅、位于外基区多晶硅上部且与其接触的金属硅化物；发射区由形成于本征基区上部与本征基区形成接触的N型发射极多晶硅组成。本发明专利技术还公开了一种器件的制造方法。本发明专利技术降低了基区及基区-集电区结形成的耗尽区的渡越时间，提高了器件工作截止频率；深接触孔金属硅化物避免了硅氧化物的生成，降低了电路断路的风险，提高器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别涉及一种有赝埋层的锗硅HBT降低集电极电阻的制造方法。本专利技术还涉及由所述方法制造的器件。
技术介绍
常规的锗硅异质结双极型三极管要求在一定的击穿电压下有尽可能高的截止频率。主要影响截止频率的是基区及基区-集电区结形成的耗尽区的渡越时间。截止频率与渡越时间成反比，而渡越时间正比于基区和集电极基极结耗尽区的宽度以及基区和集电区电阻(即集电极基极结RC延迟)。结耗尽区宽度又与发射极到集电极的击穿电压成正比。所以，为在相同的击穿电压下得到更高的截止频率，需要基区宽度较窄。同时，基区的电阻较小，以符合高频要求。 在当前的工艺下，基区的宽度和集电结的宽度已经没有太多改善的空间。基极、发射极和集电极的电阻主要由接触孔(深接触孔)和多晶硅(单晶硅)的接触电阻决定。在接触孔和多晶硅之间夹杂常规的金属硅化物可以极大的减小接触电阻(< 20欧姆/接触孔)，但深接触孔直接和浅沟槽隔离下的单晶硅接触使得接触电阻较大(> 150欧姆/每深接触孔)，影响了射频电路重要性能指标之一截止频率的性能。同时，由于在深接触孔打开的地方会形成一层自然氧化膜，在制作粘结层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有赝埋层的锗硅HBT降低集电极电阻的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：第1步，在P型硅衬底上形成浅槽；第2步，在浅槽底部注入N型离子形成N型赝埋层；第3步，在有源区进行N型离子注入形成集电区；第4步，外延生长锗硅外延层；第5步，淀积介质膜层，刻蚀形成发射区窗口，其上淀积发射极多晶硅；第6步，对发射极多晶硅进行N型离子注入，刻蚀形成发射极，并对锗硅外基区多晶硅进行P型离子注入；第7步，对注入杂质进行退火激活；第8步，淀积氧化膜进行反向刻蚀，生成发射极多晶硅侧墙和基极多晶硅侧墙；第9步，进行深接触孔光刻、干法刻蚀及湿法刻蚀，打开需要生长金属硅化物的区域；第10步，在浅槽底部深接触孔打开的区域...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周正良，周克然，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：