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本发明公开了一种有赝埋层的锗硅HBT器件，集电区由形成于浅槽之间的第一N型离子注入区、形成于第一离子注入区中的第二N型离子注入区组成；N型赝埋层形成于有源区两侧的浅槽底部，赝埋层与浅槽接触处形成有金属硅化物；本征基区由锗硅外延层组成，外基区...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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