双导通半导体组件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种双导通半导体组件包括具有一第一导电类型的一半导体基底、具有一第二导电类型的一第一基体掺杂区与一第二基体掺杂区以及一栅极绝缘层。半导体基底具有一第一沟槽，且第一基体掺杂区与第二基体掺杂区分别设于第一沟槽的两侧的半导体基底中。栅极绝缘层覆盖于第一沟槽的表面，且栅极绝缘层具有邻近第一基体掺杂区的一第一部分、邻近第二基体掺杂区的一第二部分与位于第一沟槽的底部与侧壁的转折处的一第三部分，其中第一部分的厚度与第二部分的厚度小于第三部分的厚度。借此，可提升双导通半导体组件的耐压能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其涉及一种，其栅极绝缘层的底部厚度大于侧壁厚度。
技术介绍
传统双导通半导体组件(bilateralconduction semiconductor device)是设置在电池中，且是用在电池的充放电过程中保护电池免于因充放电而损坏。为了具有保护电池的功效，公知双导通半导体组件是由两个N型功率金氧半场效应晶体管(MOSFET)所组成，且两个N型功率金氧半场效应晶体管的汲 极电连接在一起。并且，各N型功率金氧半场效应晶体管具有一寄生二极管(diode)，且二极管的P端电连接至N型功率金氧半场效应晶体管的源极，而二极管的N端电连接至N型功率金氧半场效应晶体管的汲极。请参考图I,图I为公知双导通半导体组件的剖视示意图。如图I所示,公知双导通半导体组件10包含一 P型基底12以及一设于P型基底12上的N型外延层14，并且N型外延层14具有两沟槽16。两P型基体掺杂区18设于各沟槽16两侧的N型外延层14中，且两N型源极掺杂区20分别设于各P型基体掺杂区18中，以分别作为两N型功率金氧半场效应晶体管的源极。两栅极导电层22设于各沟槽16中，以分别作为两N型功率金氧半场效本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双导通半导体组件，其特征在于，包括：一半导体基底，具有一第一导电类型，且该半导体基底具有一第一沟槽；一第一基体掺杂区，具有一第二导电类型，该第一基体掺杂区设于该第一沟槽的一侧的该半导体基底中；一第二基体掺杂区，具有该第二导电类型，该第二基体掺杂区设于该第一沟槽的另一侧的该半导体基底中；一栅极绝缘层，覆盖于该第一沟槽的表面，且该栅极绝缘层具有一第一部分、一第二部分与一第三部分，其中该第一部分邻近该第一基体掺杂区，该第二部分邻近该第二基体掺杂区，该第三部分位于该第一沟槽的一底部与一侧壁的转折处，且该第一部分的厚度与该第二部分的厚度小于该第三部分的厚度；一第一栅极导电层，设于邻近该第一基体掺杂区...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林伟捷，
申请(专利权)人：大中积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：