沟槽型金属氧化物半导体元件及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种沟槽式金属氧化物半导体(trench-gate?metal?oxide?semiconductor，TMOS)元件及其制造方法，该沟槽式金属氧化物半导体包括：基底、栅介电层、栅电极以及源极/漏极。基底具有第一掺杂区、第二掺杂区、和至少一个沟槽；且第一掺杂区与第二掺杂区形成P/N结面；沟槽由基底表面延伸穿过第二掺杂区及P/N结面，进入第一掺杂区之中。栅介电层位于沟槽的侧壁上。栅电极位于栅沟槽之中，且栅电极的上表面与基底表面之间的高度差实质上小于源极/漏极位基底之中，并邻接栅介电层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件及其制造方法，且特别是涉及一种沟槽型金属-氧化物-半导体元件及其制造方法。
技术介绍
沟槽式栅极金属氧化物半导体(trench-gatemetal oxide semiconductor,TMOS)场效应晶体管的特色,是把栅极结构嵌设于半导体外延层(epitaxial layer)中的蚀刻沟槽。由于，此种场效应晶体管的载流子漂移路径(drift path)沿着沟槽侧壁形成，使得场效应晶体管的沟道长度(channel length)可大幅增加，进而大幅降低特征沟道的阻值(约降低30%左右)。因此，在相同操作电流下，不仅有助于减少静态功率损失，提高元件电流密度，并可改善传统的平面沟道(Plane channel)场效应晶体管无法同时提高元件密度与低导通阻抗要求的缺点。对于改善特征尺寸以及布线空间日益限制的问题而言，显得相当重要。然而随着集成电路的日益复杂，沟槽式栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的发展仍有其极限，因此有需要进一步与具有平面沟道的晶体管进行结构及制程的整合，以因对集成电路集成度的不断提升以及功能多元化的发展需求，并降低制造成本。
技术实现思路
有鉴本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沟槽式金属氧化物半导体元件，包括：基底，具有第一掺杂区、第二掺杂区和至少一沟槽，其中该第一掺杂区与该第二掺杂区形成P/N结面，该沟槽由基底表面延伸穿过该第二掺杂区及该P/N结面，并进入该第一掺杂区之中；第一栅介电层，位于该沟槽的侧壁上；第一栅电极，位于该沟槽之中，且该第一栅电极的上表面与该基底表面之间具有小于的高度差；以及第一源极/漏极，位于该基底中，并邻接该第一栅介电层。FDA0000084551200000011.tif

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘冠伶，翁士元，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：