连体IGBT器件及其加工方法技术

本发明专利技术公开一种连体IGBT器件，为解决现有器件开关速度不够高的问题而发明专利技术。本发明专利技术连体IGBT器件包括至少漂移区互相连通的两个IGBT器件，各IGBT器件独立引出电极。连体IGBT器件也可由四个漂移区互相连通的IGBT器件组成。连体IGBT器件也可以具体实现为一承担较大电流主开关器件的IGBT器件和一起到加速主器件开关切换作用的辅助IGBT器件的两个IGBT器件相连。本发明专利技术连体IGBT器件的加工方法通过增加开槽工艺得到了本发明专利技术连体IGBT器件。本发明专利技术连体IGBT器件及其加工方法加工成本低，简单易行，利用两个IGBT器件开关速度相互促进获得工作速度进一步提高的有益效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种连体IGBT器件及其加工方法。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是当前主流的电力电子器件之一，适合于中、大功率的电力变换应用。特别是在开关速度较快的情况下，电源系统的体积、重量都会大大降低，而用电效率和转换质量都会有很大的提高。因此从节能减排和国民经济可持续发展的角度来看，这是一类重要的电力变换和控制的基础器件。IGBT绝缘栅双极晶体管可以看做是双极晶体管和场效应晶体管两种结构的复合 体，也可以看做是晶圆片上表面处制作的MOS器件与晶圆片底面所制作的PN结二极管的结合。上、下表面处的MOS器件与二极管，是通过一个半导体材料N-漂移区连结在一起的。当半导体材料N-漂移区比较长时(即晶圆片比较厚时)，IGBT器件的耐压较高；否则耐压比较低。传统制作非穿通型IGBT器件的方法分为两个步骤，可以称作是前道工艺和后道工艺。前道工艺加工晶圆片的上表面(也称晶圆片正面)，而后道工艺加工其底面(也称晶圆片的背面)。在前道工艺中，在一个晶圆片上同时制作出多个MOS器件结构，在所有工艺完成后，对正面器件结构进行一定的钝化保护，然后转到后道加工。后道加工包括晶圆片从背面减薄(至适本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种连体IGBT器件，其特征在于，所述器件包括至少两个IGBT器件，两个IGBT器件的漂移区互相连通，各IGBT器件独立引出电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：严利人，刘道广，刘志弘，张伟，周卫，崔杰，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：