具有电阻或电容的电路结构及其操作方法技术

本发明专利技术揭示一种具有电阻或电容的电路结构及其操作方法，该电路结构包含：一半导体基板，置于该基板内的一第一导电区，置于该第一导电区内的多个第二导电区及多个第三导电区，存在于该第一导电区及该第三导电区中间的一第一耗尽区，存在于该第二导电区及该第三导电区中间的一第二耗尽区，以及多个置于该第一导电区内的分隔区，分隔该多个第二导电区及第三导电区。该电路结构的操作方法如下：施加一第一电压于该分隔区以控制该电路结构的电容或电阻；施加一第二电压于该第一导电区及该第三导电区，并且施加一第三电压于该第二导电区以量测该电路结构的电容或电阻。本发明专利技术减低对芯片面积的需求，且工艺也相容于公知金属氧化物半导体晶体管领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电路结构，特别涉及一可调变电阻或电容。
技术介绍
近年来对混合信号集成电路(mixed mode IC)的需求快速攀升，该些电路包含数据转换器、模拟-数字/数字-模拟转换器，以及数字射频芯片。有鉴 于无线通信及网络科技的日新月异，这些电路更进一步包含了移动通信、软体无线电、局域网络或广域网络的路由器芯片。从集成电路制作的角度而言，半导体工艺在过去四十年以来一直致力于尺寸的缩小，而此趋势仍然适用于当今科技。其中互补式金属氧化物半导体(CMOS)技术通常于数字功能及小尺寸上最为成熟，而双极型晶体管(bipolar transistor)则最常被应用于强调模拟功能的芯片上。然而，一直到十年前，产业科技一直无法在不损及经济考量且不影响运作功能的条件下结合数字及模拟于一单一芯片设计。单就此观点而言，小尺寸工艺以及置放数目更多的电阻及电容于一固定面积，将有效促进更先进的的电路设计，亦即，在固定或日益缩小的芯片面积上建构密度更高的电路元件。电路中公知的电容为平行板电容，运用高介电常数的材料诸如氧化硅、多晶硅氧化物、或由化学气相沉积形成的氮化硅当作介电层，该介电层夹在两电极板间。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路结构，包含：一半导体基板；一第一导电区，置于该基板内；多个第二导电区，置于该第一导电区内；多个第三导电区，置于该第一导电区内并位于该多个第二导电区下方；一第一耗尽区，存在于该第一导电区及该第三导电区中间；一第二耗尽区，存在于该第二导电区及该第三导电区中间；以及多个分隔区，置于该第一导电区内，并分隔该多个第二导电区及第三导电区；其特征在于该第一导电区、该多个第二导电区、该多个第三导电区、该第一耗尽区、该第二耗尽区，以及该多个分隔区形成一可调变电容或一可调变电阻。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：章正欣，陈逸男，刘献文，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：