超低电容瞬态电压抑制器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种超低电容瞬态电压抑制器件，包括：P+半导体衬底；P-外延层，位于P+半导体衬底上；P+隔离区，形成于P-外延层中并延伸至P+半导体衬底；TVS管N区，位于P+隔离区中；TVS管P区，与TVS管N区并列位于P+隔离区中；N-阱，位于P+隔离区之间的P-外延层中；上二极管P区，位于N-阱中；上二极管N区，与上二极管P区并列位于N-阱中；下二极管N区，位于P+隔离区之间的P-外延层中；下二极管P区，与下二极管N区并列位于P-外延层中；互连结构，位于P-外延层上。本实用新型专利技术能将上、下二极管和TVS管都集成在同一芯片上，实现低成本和高性能。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件以及半导体工艺
，尤其涉及一种超低电容瞬态电压抑制器件。
技术介绍
瞬态电压抑制二极管(TVS,Transient Voltage Suppressor)又叫钳位二极管，是目前普遍使用的一种高效能电路保护器件，其外形与普通的二极管相同，但是却能够吸收高达数千瓦的浪涌功率，其主要特点是在反向应用条件下，当承受一个高能量的大脉冲时，其工作阻抗立即将至极低的导通值，从而允许大电流通过，同时把电压钳制在预定水平，一般的响应时间仅为10_12秒，因此可以有效地保护电子线路中的精密元器件免受各种浪涌脉冲的损坏。 传统的TVS 二极管基本都是稳压管类型的，制造工艺也比较简单，一般是在P+衬底/N+衬底上通过异型掺杂直接形成PN结。这种传统的TVS 二极管主要应用在消费类电子产品(如手机，PDA，MP3和数码相机等)中的数据端口，如键盘、侧键和电源线等，这是由于此类端口速度较慢，对TVS 二极管的电容要求不高，一般在30pF以上。但对于视频线路的保护，传统的TVS 二极管则不适合，这是由于视频数据线具有极高的数据传输率，(其数据传输率高达480M工业自动化网，有的视频数据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超低电容瞬态电压抑制器件，其特征在于，包括：P+半导体衬底；P？外延层，位于所述P+半导体衬底上；P+隔离区，形成于所述P？外延层中并延伸至所述P+半导体衬底；一个或多个并列的TVS管N区，位于所述P+隔离区中；一个或多个并列的TVS管P区，与所述TVS管N区并列位于所述P+隔离区中；N？阱，位于所述P+隔离区之间的P？外延层中；一个或多个并列的上二极管P区，位于所述N？阱中；一个或多个并列的上二极管N区，与所述上二极管P区并列位于所述N？阱中；一个或多个并列的下二极管N区，位于所述P+隔离区之间的P？外延层中；一个或多个并列的下二极管P区，与所述下二极管N区并列位于所述P？外延层中；互连...

【技术特征摘要】
1.一种超低电容瞬态电压抑制器件，其特征在于，包括 P+半导体衬底； P-外延层,位于所述P+半导体衬底上； P+隔离区，形成于所述P-外延层中并延伸至所述P+半导体衬底； 一个或多个并列的TVS管N区，位于所述P+隔离区中； 一个或多个并列的TVS管P区，与所述TVS管N区并列位于所述P+隔离区中； N-讲，位于所述P+隔离区之间的P-外延层中； 一个或多个并列的上二极管P区，位于所述N-阱中； 一个或多个并列的上二极管N区，与所述上二极管P区并列位于所述N-阱中； 一个或多个并列的下二极管N区，位于所述P+隔离区之间的P-外延层中； 一个或多个并列的下二极管P区，与所述下二极管N区并列位于所述P-外延层中； 互连结构，位于所述P-外延层上，包括连接所述TVS管N区与上二极管N区的互连线、连接所述TVS管P区与下二极管P区的互连线，以及连接所述上二极管P区与下二极管N区的互连线。2.根据权利要求I所述的超低电容瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述P+半导体衬底是电阻率为0. 005-0...

【专利技术属性】
技术研发人员：张常军，李昕华，陈向东，
申请(专利权)人：杭州士兰集成电路有限公司，杭州士兰微电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：