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本实用新型提供了一种超低电容瞬态电压抑制器件，包括：P+半导体衬底；P-外延层，位于P+半导体衬底上；P+隔离区，形成于P-外延层中并延伸至P+半导体衬底；TVS管N区，位于P+隔离区中；TVS管P区，与TVS管N区并列位于P+隔离区中；N...该专利属于杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司授权不得商用。