【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高压功率半导体器件领域，具体来说，是一种适用于高压应用的能够提高电流密度的N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，适用于等离子平板显示设备、半桥驱动电路以及汽车生产领域等驱动芯片。
技术介绍
随着电子电力技术的不断发展，功率半导体器件作为电子电力系统中能量控制和转化的基本电子元器件，受到越来越多的关注。提高功率半导体器件性能的技术要求主要体现在器件的可集成性、高耐压、大电流和与低压电路部分的良好的隔离能力这些方面。功率半导体器件具体的种类决定功率集成电路处理高电压、大电流能力的大小，另外功率半 导体器件的结构和制造工艺也是重要的影响因素。随着功率半导体器件的理论研究和制造工艺水平的不断提高，80年代出现的绝缘栅双极型器件集高压三极管的大电流处理能力和绝缘栅场效应晶体管栅压控制特性于一身，具有高的输入阻抗、高的开关速度、小的驱动功率，大的电流驱动能力和低的导通阻抗等优点，是近乎理想的功率半导体器件，具有广泛的发展和应用前景。功率半导体器件的可集成性、高耐压、大电流的需求解决后，它的隔离性成为主要矛盾。在这种形势下绝缘体上娃(Silicon On Ins...
【技术保护点】
一种大电流N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，包括：P型硅衬底（1），在P型硅衬底（1）上设有埋氧层（2），在埋氧层（2）上设有N型外延层（3），在N型外延层（3）内设有N型中心缓冲阱区（22），在N型中心缓冲阱区（22）内设有P型发射区（20），在P型发射区（20）上连接有发射极金属（21），其特征在于，在N型中心缓冲阱区（22）内设有第一N型基区（19）及第二N型基区（19’），所述第一N型基区（19）与第二N型基区（19’）分别位于P型发射区（20）的两外侧且对称于P型发射区（20），在第一N型基区（19）上连接有第一基极金属（18），在第二N型基区（19’）上连接...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘斯扬，徐安安，黄栋，钱钦松，孙伟锋，陆生礼，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：
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