半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件。提供了一种能够促进移动电话等中使用的RF功率模块的微型化的技术。在其中形成了RF功率模块的放大部分的半导体芯片内，形成定向耦合器。定向耦合器的副线与耦合到LDMOSFET的漏区的漏极导线形成在同一层中，所述LDMOSFET将用作半导体芯片的放大部分。因此，预定的漏极导线用作主线，通过经由绝缘膜与所述主线并行布置的副线以及所述主线来配置定向耦合器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，并且更具体地涉及一种可用于具有功率放大器功能的半导体器件的技术。
技术介绍
在日本专利公开No. 2006-237238(专利文件I)中，描述了一种技术，其中将形成有功率放大器电路的半导体芯片安装在安装衬底上并进一步在安装衬底中形成定向耦合器。
技术实现思路
近来，由诸如GSM系统(全球移动通信系统)、PCS系统(个人通信系统)、PDC (个人数字蜂窝)系统、CDMA(码分多址)系统等通信系统所代表的移动通信装置已经扩展到全世界。通常，这种类型的移动通信装置包括天线，用于发射和接收无线电波；射频功率放大器(RF功率模块)，用于放大功率调制射频信号并将其提供至天线；接收部分，用于处理通过天线接收的射频信号；控制部分，用于控制这些部件；以及电池，用于为这些部件提供电源电压。根据用途和环境，可以使用诸如HBT、HEMT等的复合半导体器件、硅双极晶体管、LDM0SFET(横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)等作为在移动通信装置的RF功率模块内的功率放大电路中所使用的放大器元件。此外，近来随着移动通信装置变得更加多功能化，对于降低RF功率模块尺寸的需求也日益增加。本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：包括功率放大器电路的半导体芯片，其中，所述半导体芯片具有：(a)半导体衬底；(b)晶体管，其形成在所述半导体衬底上方，构成所述功率放大器电路；其中所述晶体管包括：(b1)多个漏极导线，其耦合至所述晶体管的漏极区域；以及(b2)多个源极导线，其耦合至所述晶体管的源极区域；以及(c)定向耦合器，其形成在所述半导体衬底上方，并且用于检测从所述功率放大器电路输出的输出功率；其中，所述定向耦合器包括：(c1)主线，其使用所述晶体管的输出导线；以及(c2)副线，其第一端子与用于将来自所述定向耦合器的输出转换成电压或电流的检测器电路电耦合，而其第二端子作为所述第一端子的另一端，经由无源...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：樱井智，后藤聪，藤冈彻，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：