具有对芯片内部低噪声干扰的静电放电防护电路制造技术

技术编号:8367384 阅读:194 留言:0更新日期:2013-02-28 07:00
本发明专利技术提供一种具有对芯片内部低噪声干扰的静电放电防护电路。该静电放电防护电路设置在芯片中,该芯片还包括:主电路及连接所述主电路的第一电源端及第一接地端;所述静电放电防护电路至少包括:连接所述主电路的静电放电防护电路单元;连接所述静电放电防护电路单元的第二电源端及第二接地端;以及多条邦定线,分别将所述第一电源端连接至第一电源引脚、第一接地端连接至第一接地引脚、所述第二电源端连接至第二电源引脚、第二接地端连接至第二接地引脚。本发明专利技术的优点包括:能有效降低主电路所受到的噪声干扰。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路领域,特别是涉及一种具有对芯片内部低噪声干扰的静电放电防护电路
技术介绍
现行的半导体芯片的输入/输出端口以及电源端口处均会设置静电放电(ESD)保护电路,以防护半导体芯片免于外界静电所产生的高电压破坏。一个常见的ESD防护电路及其邦定(Bonding)线有效电路如图I所示,其中,左半部分为ESD防护电路,右半部分是芯片内部的焊盘(PAD)通过Bonding线连接到封装引脚(PIN脚)的等效电路图。该ESD防护电路由二极管连接的PMOS管Pl和NMOS管NI串接而成,PMOS管Pl的源端(source)、栅端(gate)与体端(body)连接在VDDA焊盘,封装时,该VDDA焊盘通过Bonding线连接VDD引脚,NMOS管NI的源端、栅端与体端连接在GNDA焊盘,封装时,该GNDA焊盘通过Bonding线连接GND引脚,PMOS管Pl的漏端(drain)与NMOS管NI的漏端相连,并连接输入/输出(In/Out)焊盘(PAD)封装时,该In/Out焊盘通过Bonding线连接1/0引脚。由于该ESD防护电路与芯片的主电路共用高电平VDDA和地电平GNDA。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有对芯片内部低噪声干扰的静电放电防护电路,其特征在于,所述具有对芯片内部低噪声干扰的静电放电防护电路设置在芯片中,所述芯片还包括:主电路及连接所述主电路的第一电源端及第一接地端;所述静电放电防护电路至少包括:连接所述主电路的静电放电防护电路单元;连接所述静电放电防护电路单元的第二电源端及第二接地端;多条邦定线,分别将所述第一电源端连接至第一电源引脚、第一接地端连接至第一接地引脚、所述第二电源端连接至第二电源引脚、第二接地端连接至第二接地引脚。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王倩陈后鹏许伟义蔡道林金荣宋志棠
申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
类型:发明
国别省市:

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