【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种。
技术介绍
在现有的常见的非挥发记忆体生产工艺中，需要用到多层不同工艺步骤的多晶硅。由此发展出的多晶硅-绝缘体-多晶硅(PIP，Poly-Insulator-Poly)电容器和多晶硅-多晶硅-衬底(PPS，Poly-Poly-Substrate)电容器也被广泛作为电容器件使用。图I是现有的PIP电容器的结构示意图，包括半导体衬底100，所述半导体衬底100表面形成有浅沟槽隔离结构110 ;位于所述浅沟槽隔离结构110表面的第一介质层120 ;位于所述第一介质层120表面的第一多晶娃层130 ;位于所述第一多晶娃层130表面的第二介质层140，且第二介质层140覆盖第一多晶硅层130的一侧的侧壁；位于所述第二介质层140和第一介质层120表面的第二多晶娃层150,且所述第二多晶娃层150覆盖第二介质层140位于第一介质层120表面的侧壁，与被覆盖第一多晶娃层130侧壁相对的一端的第一多晶娃层130部分表面被暴露,且所述暴露的表面形成有与第一多晶娃层130电连接的第一导电插塞170,所述第二多晶娃层150...
【技术保护点】
一种半导体电容器结构，其特征在于包括：多个半导体电容器，其中每个半导体电容器均包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的第一介质层；位于所述第一介质层表面的第一多晶硅层；位于所述第一多晶硅层表面的第二介质层；位于所述第二介质层和第一介质层表面的第二多晶硅层；其中，所述多个半导体电容器中的一部分的第二介质层具有第一厚度，所述多个半导体电容器中的另一部分的第二介质层具有第二厚度，且所述第一厚度大于所述第二厚度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：江红，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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