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本发明提供了一种半导体电容器结构及其制造方法。一种半导体电容器结构，其包括：多个半导体电容器，其中每个半导体电容器均包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的第一介质层；位于所述第一介质层表面的第一多晶硅层；位于所述第一多晶硅层表面的第二介...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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