【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及闪存器件及操作方法，且特别涉及。
技术介绍
闪存是一种常见的非易失性存储器，其具有低成本密度高的特点。传统的闪存器件每个存储单元通常只能存储一位数据，不是“ I ”就是“O”。近年来，为了提高闪存的存储密度，工程师们尝试了多种技术方案。参考图1，在申请号为201010027279、名称为“EEPR0M器件及其制造方法”的中国专利技术专利申请中，公开了一种闪存器件，由于多晶硅具有电荷连续存储的特性，因此该技术方案通过在多晶硅浮栅中设置介质层，从而将多晶硅浮栅隔离为两个互不干扰的部分，以实现在一个存储单元存 储两位数据。然而这种闪存结构在制作过程中需要增加多次光刻，成本较高。此外，随着材料技术的发展，人们发现采用电荷分离存储材料进行存储，例如氮化硅(SIN)、硅纳米晶等，也能够降低栅氧层厚度，实现镜像的存储。在专利号为US7583530、名称为“Multi-bit memory techno logy (MMT) and cells”的美国专利申请中
技术介绍
部分提到了采用电荷分离存储材料实现在一个存储单元中存储两位数据。然而，无论是采用引入介质层对多晶...
【技术保护点】
一种镜像闪存器件，至少包括：半导体基底，形成于所述半导体基底上的栅极，形成于所述栅极下方的半导体基底中的沟道，分别对称的分布在所述沟道两侧的源极和漏极；其特征在于，所述半导体基底至少包括：与基底相反掺杂类型的离子注入深井，以及位于该深井中且与基底相同掺杂类型的离子注入井，所述沟道形成于所述离子注入井中；所述栅极至少包括用于俘获电荷的浮栅和控制栅，所述浮栅采用电荷分离存储材料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张雄，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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