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一种镜像闪存器件及其操作方法，其中，所述镜像闪存器件至少包括：半导体基底，形成于所述半导体基底上的栅极，形成于所述栅极下方的半导体基底中的沟道，分别对称的分布在所述沟道两侧的源极和漏极；其中，所述半导体基底至少包括：与基底相反掺杂类型的离子...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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