一种与非型闪存中坏列的处理装置及与非型闪存制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例公开了一种与非型闪存中坏列的处理装置及与非型闪存，所述装置包括：坏列扫描模块，用于扫描所述与非型闪存的存储区块，并扫描出所述存储区块中的坏列；坏列个数统计模块，用于通过所述存储区块中的冗余列替换所述坏列并将所述坏列的地址记录在与该冗余列对应的标记锁存器中，记录所述坏列个数；错误数据个数获取模块，用于扫描写入数据后的所述存储区块并得出所述存储区块的错误信息个数，根据所述错误信息个数和所述坏列个数得出所述存储区块的错误数据个数。本实用新型专利技术实施例中仅需要至少一个标记锁存器用于记录坏列信息，可以大大减少标记锁存器占用的面积，也降低与非型闪存排版布局的难度。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路存储
，尤其涉及一种与非型闪存中坏列的处理装置及与非型闪存。
技术介绍
NAND FLASH是一种与非型闪存，可以在给定的芯片尺寸内提供较高的容量。NAND FLASH以页为基本单元进行存储，以块为基本单元进行擦除，具有很快的写入和擦除速度，是一种比硬盘驱动器更好的存储设备。如图1所示，在NAND FLASH中，除了用来存储数据的存储器外，一般还包括灵敏放大器(Sense Amplifier，SA)、标记锁存器(Isolation latch，ISOL)和控制电路(图中未给出)，一组灵敏放大器(Sense Amplifier，SA)对应一组标记锁存器(Isolation latch，ISOL)。在NAND FLASH中，除了用户可访问到的存储资源外，还配备有冗余列(如图2所示)，若SA或是存储器中出现坏列，则动用冗余列资源将坏列替换掉，此时，将该坏列的地址、该坏列对应的替换冗余列的地址记录到该列所对应的标记锁存器中；若超出冗余列的替换范围，则将该坏列不可替换的信息记录到其对应的标记锁存器中；若某列不是坏列，则将其对应的标记锁存器标记为未使用。可见，存储器中某一列所对应的标记锁存器存储的信息包括：该标记锁存器本身是否可用，该标记锁存器是否已经使用，若已经使用，则记录其对应的坏列地址和替换冗余列地址；若未使用，则记录该信息。但是，现有的NAND FLASH中，即使某列不是坏列，其也有对应的标记锁存
器，导致标记锁存器资源被浪费；每一列存储单元都对应一组标记锁存器，使得在NAND FLASH中，标记锁存器占据了很大的面积；标记锁存器横跨整个存储器，在排版布局时需使用较大的面积。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供一种与非型闪存中坏列的处理装置及与非型闪存，以解决现有技术中标记锁存器数量多，所占面积大，需横跨整个存储器，给电路板的排版布局造成不便等问题。第一方面，本技术实施例提供了一种与非型闪存中坏列的处理装置，包括：坏列扫描模块，用于扫描所述与非型闪存的存储区块，并扫描出所述存储区块中的坏列；坏列个数统计模块，用于通过所述存储区块中的冗余列替换所述坏列并将所述坏列的地址记录在与该冗余列对应的标记锁存器中，记录所述坏列个数；错误数据个数获取模块，用于扫描写入数据后的所述存储区块并得出所述存储区块的错误信息个数，根据所述错误信息个数和所述坏列个数得出所述存储区块的错误数据个数。进一步的，所述坏列个数统计模块包括：冗余列调用单元，用于调用一个冗余列并判断所述冗余列是否是正常列，若所述冗余列为坏列，则返回并调用下一个冗余列；若所述冗余列为正常列，则通过该冗余列替换所述坏列，并将所述坏列的地址记录在与该冗余列对应的标记锁存器中；坏列个数统计单元，用于当所述存储区块中的全部坏列替换完成后，统计所述坏列的个数。进一步的，所述错误数据个数获取模块包括：存储数据写入单元，用于上
电结束后，向所述存储区块中写入数据；错误信息统计单元，用于对所述存储区块进行错误数据扫描，以得出所述存储区块中的错误信息个数；错误数据个数获取单元，用于计算所述错误信息个数与所述坏列个数的差值，以得到所述错误数据个数。进一步的，该装置还包括：错误数据判断模块，用于在所述计算所述错误信息个数与所述坏列个数的差值，以得到所述错误数据个数之后，判断所述错误数据个数是否超出预设个数阈值，若未超出，则写入数据操作完成；若超出，则返回重新将数据写入所述存储区块中。第二方面，本技术实施例还提供了一种与非型闪存，包括：至少一个存储区块，与所述存储区块中的冗余列一一对应设置的标记锁存器，以及本技术实施例任一所述的与非型闪存中坏列的处理装置。本技术实施例提供的与非型闪存中坏列处理的技术方案，通过坏列扫描模块和坏列个数统计模块扫描与非型闪存中存储区块的坏列并记录坏列的个数，通过错误数据个数获取模块扫描写入数据后存储区块中的错误信息个数，根据错误信息个数和坏列个数得到该存储区块中的错误数据个数。本技术实施例通过采用上述技术方案，通过标记锁存器记录坏列信息，可以大大减少标记锁存器的个数，从而可以有效地减小标记锁存器所占的面积；与现有技术相比，不再需要将标记锁存器设置成横跨整个存储阵列的形状，标记锁存器的位置布局可以根据电路板的布局自由设置，能够降低与非型闪存电路板排版布局的难度，有利于电路板的合理设计。附图说明通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本实用
新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1为现有技术中NAND FLASH的标记锁存器示意图；图2为现有技术中NAND FLASH的冗余列示意图；图3为本技术实施例一提供的一种与非型闪存中坏列的处理方法的流程示意图；图4为本技术实施例二提供的一种与非型闪存中坏列的处理方法的流程示意图；图5为本技术实施例三提供的一种与非型闪存中坏列的处理装置的结构框图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部内容。实施例一本技术实施例一提供一种与非型闪存中坏列的处理方法，该方法可以由与非型闪存中坏列的处理装置执行，其中该装置可由软件和/或硬件实现，一般可集成在与非型闪存中。图3是本技术实施例一的与非型闪存中坏列的处理方法的流程示意图。如图3所示，该方法包括：S110、扫描所述与非型闪存的存储区块，并扫描出所述存储区块中的坏列。在本实施例中与非型闪存为NAND FLASH、NOR FLASH或其他类型的与非型
闪存。在此优选与非型闪存为NAND FLASH。在此存储区块中设置有至少一个标记锁存器。对存储区块进行扫描后可确定存储区块中的坏列和正常列，并可获取到坏列的信息，在此坏列信息至少包括坏列的个数、坏列的地址等。对于扫描出的一个坏列，可将该坏列地址存储在一个标记锁存器中以便于后续进行数据存储和写入，优选一个标记锁存器中存储一个坏列地址。对于扫描出的坏列个数，可将该坏列个数存储在一个标记锁存器中，优选一个存储区块中的坏列个数存储在一个标记锁存器中。需要说明的是，还可将坏列个数存储在计数器中，在扫描存储区块坏列的过程中，如果扫描发现存储区块当中的某一列为坏列，可以将计数器计数加1，以此类推，直至存储区块扫描完成。示例性的，扫描与非型闪存存储区块中的坏列时，可以按照存储阵列地址从小到大、从低到高的顺序进行扫描。S120、通过所述存储区块中的冗余列替换所述坏列并将所述坏列的地址记录在与该冗余列对应的标记锁存器中，记录所述坏列个数。在与非型闪存的存储区块中，除了用户可以访问到的存储资源外，一般还配备有冗余列，冗余列被用于替换存储区块中的坏列，在本技术实施例中，标记锁存器与冗余列一一对应设置，即某冗余列所替换的坏列的地址会存储到与该冗余列所对应的标记锁存器中。需要说明的是，若存储区块中采用标记锁存器存储坏列个数，则存储区块中除了与冗余列一一对应的存储地址的标记锁存器，还包括一个存储坏列个数的标记锁存器。相应的，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种与非型闪存中坏列的处理装置，其特征在于，包括：坏列扫描模块，用于扫描所述与非型闪存的存储区块，并扫描出所述存储区块中的坏列；坏列个数统计模块，用于通过所述存储区块中的冗余列替换所述坏列并将所述坏列的地址记录在与该冗余列对应的标记锁存器中，记录所述坏列个数；错误数据个数获取模块，用于扫描写入数据后的所述存储区块并得出所述存储区块的错误信息个数，根据所述错误信息个数和所述坏列个数得出所述存储区块的错误数据个数。

【技术特征摘要】
1.一种与非型闪存中坏列的处理装置，其特征在于，包括：坏列扫描模块，用于扫描所述与非型闪存的存储区块，并扫描出所述存储区块中的坏列；坏列个数统计模块，用于通过所述存储区块中的冗余列替换所述坏列并将所述坏列的地址记录在与该冗余列对应的标记锁存器中，记录所述坏列个数；错误数据个数获取模块，用于扫描写入数据后的所述存储区块并得出所述存储区块的错误信息个数，根据所述错误信息个数和所述坏列个数得出所述存储区块的错误数据个数。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述坏列个数统计模块包括：冗余列调用单元，用于调用一个冗余列并判断所述冗余列是否是正常列，若所述冗余列为坏列，则返回并调用下一个冗余列；若所述冗余列为正常列，则通过该冗余列替换所述坏列，并将所述坏列的地址记录在与该冗余列对应的标记锁存器中；坏列个数统计单元，用于在当所述存储区块中的全部坏列替换完...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘会娟，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11