绝缘体上硅结构以及半导体器件结构制造技术

本发明专利技术提供了一种绝缘体上硅结构以及半导体器件结构。本发明专利技术的绝缘体上硅结构包括：第一硅层；形成于在所述第一硅层上的第一掩埋氧化物层；形成于所述所述第一掩埋氧化物层上的第二硅层；形成于所述第二硅层上的第二掩埋氧化物层；以及形成于所述第二掩埋氧化物层上的第三硅层。采用上述绝缘体上硅结构，可以利用双栅（double?gate）晶体管结构,并且有效减小绝缘体上硅结构上的半导体器件与衬底间的寄生电容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种绝缘体上硅结构以及采用了该绝缘体上硅结构的半导体器件结构。
技术介绍
随着对半导体器件的速度更快、温度更低的需求的出现，绝缘体上硅(S0I，Si I icon-on-insulator )正在得到越来越广泛的使用。绝缘体上娃结构的主要特点是在有源层和衬底层之间插入绝缘层(掩埋氧化物层)来隔断有源层和衬底之间的电气连接，这一结构特点为绝缘体上硅类的器件带来了寄生效应小、速度快、功耗低、集成度高、抗辐射能力强等诸多优点。 双栅(double gate)晶体管比传统的单栅晶体管具有更好的比例缩放特性。通常，双栅晶体管的结构包括背删、背删电介质、沟道、顶栅电介质和顶栅，一般上述结构的双栅晶体管都是在绝缘体上硅上制作的。如图I所示,现有技术的绝缘体上娃100包括作为支撑层的娃基底层101、作为绝缘层的掩埋氧化物层102和作为有源层的硅顶层103。所述硅基底层101、掩埋氧化物层102和顶娃层103依次层叠设置。其中，集成电路形成在娃顶层103中，娃基底层101 —般较厚，其主要作用是为上面的掩埋氧化物层102和顶硅层103提供机械支本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘体上硅结构，包括：第一硅层；形成于所述第一硅层上的第一掩埋氧化物层；形成于所述第一掩埋氧化物层上的第二硅层；形成于所述第二硅层上的第二掩埋氧化物层；以及形成于所述第二掩埋氧化物层上的第三硅层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李乐，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：