一种基于SOI SiGe HBT的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于SOI?SiGe?HBT的应变Si?BiCMOS集成器件及电路制备方法，在衬底上生长N型Si外延，制备深槽隔离，形成集电极接触区，干法刻蚀形成氮化物侧墙，湿法刻蚀出基区窗口，选择性生长SiGe基区，光刻集电极窗口，去掉Poly-Si，形成SiGeHBT器件；光刻MOS器件有源区沟槽，在MOS器件有源区沟槽中分别连续生长Si缓冲层、渐变SiGe层、固定组分SiGe层、N型应变Si沟道层和Si缓冲层等，制备漏极和栅极，形成PMOS器件；制备NMOS器件栅介质层和栅多晶，形成NMOS器件；充分利用张应变Si材料迁移率各向异性的特点，制备出性能增强BiCMOS集成器件及电路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路
，尤其涉及一种制备基于SOI SiGe HBT的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法。
技术介绍
1958年出现的集成电路是20世纪最具影响的专利技术之一。基于这项专利技术而诞生的微电子学已成为现有现代技术的基础，加速改变着人类社会的知识化、信息化进程，同时也改变了人类的思维方式；它不仅为人类提供了强有力的改造自然的工具，而且还开拓了一个广阔的发展空间。 半导体集成电路已成为电子工业的基础，人们对电子工业的巨大需求，促使该领域的发展十分迅速；在过去的几十年中，电子工业的迅猛发展对社会发展及国民经济产生了巨大的影响；目前，电子工业已成为世界上规模最大的工业，在全球市场中占据着很大的份额，产值已经超过了 10000亿美元。硅材料作为半导体材料应用经历了 50多年，传统的Si CMOS和BiCMOS技术以其低功耗、低噪声、高输入阻抗、高集成度、可靠性好等优点在集成电路领域占据着主导地位，并按照摩尔定律不断的向前发展；目前，全球90%的半导体市场中，都是Si基集成电路。但是随着器件特征尺寸减小、集成度和复杂性的增强，出现了一系列涉及材料、器件物理、器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于SOI？SiGe？HBT的应变Si？BiCMOS集成器件及电路，其特征在于，NMOS器件和PMOS器件均为应变Si？MOS器件，双极器件为SOI？三多晶SiGe？HBT。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张鹤鸣，王海栋，胡辉勇，宋建军，宣荣喜，舒斌，戴显英，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：