显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示装置。保护电路包括非线性元件，该非线性元件包括：栅电极；覆盖栅电极的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上与栅电极重叠的第一氧化物半导体层；以及其端部在第一氧化物半导体层上与栅电极重叠，并其中层叠有导电层和第二氧化物半导体层的第一布线层及第二布线层。在栅极绝缘层上接合物理性质彼此不同的氧化物半导体层，由此与肖特基结相比可进行稳定工作。因此，结漏降低，且可提高非线性元件的特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种包括氧化物半导体的显示装置。
技术介绍
以液晶显示装置为代表的形成在诸如玻璃衬底的平板上的薄膜晶体管使用非晶硅、或多晶硅制造。使用非晶硅的薄膜晶体管具有如下特性虽然其场效应迁移率低，但是这种晶体管适合于在玻璃衬底上大面积地形成。另一方面，使用结晶硅制造的薄膜晶体管具有如下特性虽然其场效应迁移率高，但是需要进行激光退火等的结晶化工序，因此其不一定适合于较大玻璃衬底。 另一方面，使用氧化物半导体制造薄膜晶体管，并将其应用于电子装置或光学装置的技术受到注目。例如，专利文献I及专利文献2公开作为氧化物半导体膜使用氧化锌(ZnO).In-Ga-Zn-O类氧化物半导体来制造薄膜晶体管，并将这种晶体管用作图像显示装置的开关元件等的技术。日本专利申请公开2007-123861号公报日本专利申请公开2007-96055号公报
技术实现思路
将氧化物半导体用作沟道形成区域的薄膜晶体管具有如下特性其工作速度比使用非晶硅的薄膜晶体管快，并且其制造工序比使用多晶硅的薄膜晶体管简单。换言之，通过使用氧化物半导体，即使在300°C以下的低温下也可以制造场效应迁移率高的薄膜晶体管。为了有效地利用工作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，包括：第一衬底上的像素部；所述像素部中所包含的晶体管，所述晶体管包括具有沟道形成区域的氧化物半导体层，其中所述氧化物半导体层包括铟、锌及氧；所述晶体管上的第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上的包括氮化硅的第二绝缘膜；所述第二绝缘膜上的包括有机材料的第三绝缘膜；所述第三绝缘膜上的透光导电层；所述第一衬底上的第二衬底；以及所述第一衬底和所述第二衬底之间的密封材料，其中设置所述密封材料以便包围所述像素部；其中所述密封材料与所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜重叠；其中所述密封材料与所述第二绝缘膜接触，以及其中所述密封材料不与所述第三绝缘膜重叠。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，秋元健吾，小森茂树，鱼地秀贵，二村智哉，笠原崇广，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：