一种顶栅型TFT阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种顶栅型TFT阵列基板及显示装置，将钝化层与第一电极同层设置，在起到保护栅电极和栅极扫描线的条件下，简化了顶栅型TFT阵列基板的结构；并且，由于钝化层和第一电极同层设置，这样可以使用一次构图工艺同时制备出钝化层和第一电极，简化了制备工艺，节省了生产成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种顶栅型TFT阵列基板及显示装置。
技术介绍
目前，液晶显示面板(IXD)、电致发光(EL)显示面板以及电子纸等显示装置已为人所熟知。在这些显示装置中，控制各像素开关的 薄膜晶体管(TFT，Thin FilmTransistor)阵列基板按其结构可以分为顶栅型TFT和底栅型TFT。其中，顶栅型TFT的结构为栅绝缘层覆盖有源层，然后在该有源层上形成栅电扱。TN型TFT阵列基板的具体结构如图I所示。从图I中可以看出，在现有顶栅型TFT阵列基板的结构中，栅电极7和栅扫描线(图I中未示出)位于整个器件的顶部，为了保证器件在使用过程中不被外界影响，必须采用单独的ー步エ艺制备钝化层9，该钝化层9会覆盖在整个像素电极8、栅电极7和栅扫描线之上，以起到保护栅电极7和栅扫描线的作用，这样，会使顶栅型TFT阵列基板的结构相对复杂，制备エ艺相对繁琐，増加了生产成本。
技术实现思路
本技术实施例提供了ー种结构和エ艺简单、成本低廉的顶栅型TFT阵列基板及显示装置。本技术提供的顶栅型TFT阵列基板，包括基板，形成在基板上的有源层、源电极和漏电极，形成于所述有源层上的栅绝缘层，形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种顶栅型TFT阵列基板，其特征在于，包括：基板，形成在基板上的有源层、源电极和漏电极，形成于所述有源层上的栅绝缘层，形成于所述栅绝缘层上的栅电极和栅扫描线，形成于所述栅电极和栅扫描线上的钝化层，以及形成于所述栅绝缘层上的第一电极，所述钝化层与所述第一电极同层设置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐少颖，谢振宇，李婧，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：