流电隔离器件和方法技术

多种示例实施例涉及一种隔离器件，所述隔离器件包括半导体层和绝缘层。所述绝缘层将半导体层的中心部分绝缘。高电压端子与绝缘层相连，第一低电压端子与半导体层的第一非绝缘部分相连，以及第二低电压端子与半导体层的第二非绝缘部分相连。第一低电压端子和第二低电压端子经由半导体层电连接。施加到高电压端子的电压影响半导体层的电导率。高电压端子与第一低电压端子和第二低电压端子流电隔离。

【技术实现步骤摘要】

这里公开的各个示例实施例总体涉及。
技术介绍
流电隔离是ー种将电系统的各个部分隔离的技术。防止电流从电系统的一部分直接移动至另一部分。通过使用例如电容耦合、电感耦合、磁耦合、光耦合以及射频耦合等，仍然可以在电系统的各个部分之间交换能量或信息。流电隔离可以用在以下情況两个或更多个电路需要通信，但是至少ー个电路中的电压和/或电流处于可能对其他电路有害的水平。
技术实现思路
提供了多种示例实施例的简要概述。在以下概述中进行了一些简化和省略，这旨在强调和介绍不同示例实施例的ー些方面，而不是为了限制本专利技术的范围。在后面的部分中将给出优选示例实施例的详细描述，所述优选示例实施例的详细描述足以使本领域技术人员能够实现和使用本专利技术的构思。多种示例实施例涉及ー种隔离器件，包括半导体层；绝缘层，其中所述绝缘层将半导体层的中心部分绝缘；高电压端子，与绝缘层相连；第一低电压端子，与半导体层的第一非绝缘部分相连；以及第二低电压端子，与半导体层的第二非绝缘部分相连；其中，第一低电压端子和第二低电压端子经由半导体层电连接，并且施加到高电压端子的电压影响半导体层的电导率。多种示例实施例还涉及一种隔离电系统的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种隔离器件，包括：半导体层；绝缘层，其中所述绝缘层将半导体层的中心部分绝缘；高电压端子，与绝缘层交界；第一低电压端子，与半导体层的第一非绝缘部分交界；以及第二低电压端子，与半导体层的第二非绝缘部分交界；其中所述第一低电压端子和所述第二低电压端子经由半导体层电连接，并且其中施加到高电压端子的电压影响半导体层的电导率。

【技术特征摘要】
2011.06.22 US 13/165,8681.一种隔离器件，包括 半导体层； 绝缘层，其中所述绝缘层将半导体层的中心部分绝缘； 高电压端子，与绝缘层交界； 第一低电压端子，与半导体层的第一非绝缘部分交界；以及 第二低电压端子，与半导体层的第二非绝缘部分交界； 其中所述第一低电压端子和所述第二低电压端子经由半导体层电连接，并且 其中施加到高电压端子的电压影响半导体层的电导率。2.根据权利要求I所述的隔离器件，其中，所述高电压端子与所述第一低电压端子和所述第二低电压端子流电隔离。3.根据权利要求I所述的隔离器件，其中，所述半导体层是η型半导体。4.根据权利要求I所述的隔离器件，其中，所述半导体层是P型半导体。5.根据权利要求I所述的隔离器件，其中，用比所述半导体层的中心部分更多的掺杂剂对所述半导体层的非绝缘部分进行掺杂。6.根据权利要求3所述的隔离器件，其中，施加到所述高电压端子的电压与所述半导体层的电导率具有实质上线性关系。7.根据权利要求I所述的隔离器件，其中，施加到所述高电压端子的电压大于100伏特。8.一种隔离电系统的方法，包括 向隔离器件的高电压端子施加第一电压，其中所述第一电压包括信息信号； 将所述隔离器件的第一低电压端子连接至第二电压电位； 将所述隔离器件的第二低电压端子连接至第三电压电位；以及通过测量所述第一低电压端子和所述第二低电压端子处的电压、电流、电阻和电导率中的至少ー个，从所述信息信号中获得信息， 其中，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：马尔腾·雅各布思·斯万尼伯格，杜桑·戈卢保维克，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：