电源芯片制造技术

一种电源芯片，包括：相互连接的两个载片区及分别对应承载在该两个载片区上的两颗晶片，其中一颗晶片为低压电路晶片，另一颗晶片为第一高压电路晶片；绝缘本体，包覆在该两个载片区及晶片上；以及七个导电端子，与该两个载片区及晶片电连接并伸出于该绝缘本体；该七个导电端子的排布位置与标准的八脚单列直插规格的七个管脚位置相对应，其中，该第一载片区的面积大于该第二载片区的面积，与该第一管脚位置相对应的导电端子与第一个载片区及第一高压电路晶片相连接，与该第四管脚至第八管脚位置相对应的五个导电端子与第二个载片区及低压电路晶片相连接。本实用新型专利技术可以实现两个或两个以上芯片的封装并有效降低热阻。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电源芯片，尤其涉及电源芯片的封装结构。
技术介绍
现有的AC/DC开关电源控制器，为了提高集成度和降低使用成本，很多小功率器件会将高压功率开关和控制器装载在一个封装中，形成一个多芯片封装的组合结构，例如将一个功率开关和一个控制器装载在S0P8或DIP8封装中。现有的这种封装结构，受限于双列直插结构，其安装到PCB板上时必须采用平躺方式安装。由于功率开关的高压引出端子位于器件的底面，因此一般是将装载功率开关的金属区及其引出端作为高压端；由于控制器的底面则一般为接地脚，因此装载控制器的金属区及其引出端作为低压端，因此两个金 属区不能直接相连，也就是说，需要两个独立的装载金属区。S0P8/DIP8封装有限的热容量决定了其本身有限的耗散功率能力，通常在无外部辅助散热的情况下其在指定温升条件下的可用功率容量仅为1.2W/1.5W左右，在一个典型的AC/DC开关电源应用中可以满足的系统功率水平为约8W/15W左右。在需要时，虽然可以通过安装辅助散热装置来增加其功率容量，但受限于其平躺式的安装方式，散热装置结构设计将非常困难，散热装置安装也非常困难，也无法保证散热装置与芯片表面充分接触，同时因为在芯片本身距离封装体表面较远的距离，使得热阻很大，芯片发出的热量无法快速传导到封装体表面，因此仍然无法有效且可靠地提高系统功率容量，也就是说，S0P8/DIP8封装存在功率容量较小、热量传导较慢以及辅助散热不易的问题。当需要较大的功率容量时，还常采用TO结构的封装形式，例如T0220-3L, T0220-5L, T0220-7L等，这时可将功率容量提高至DIP8的5_20倍，同时还具有较快的热量传导能力和方便的辅助散热装置安装特性。但这种封装结构也存在显著缺点金属用量大，成本较高；封装体外形高度较大，无法用于超薄型系统设计；内部空间不易实现两个芯片装载区结构；引脚距离不能满足高压与低压距离要求。现有的音频放大器、信号处理电路、行场驱动电路等器件中还常采用SIP8单列直插封装结构，其存在以下缺点弓丨脚间距仅为I. 34mm，无法满足高压与低压隔离距离的要求；内部仅具有一个芯片装载区的结构，无法满足安装两个或两个以上芯片的要求；内部金属连接结构较小，无法实现较低的热阻性能。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于克服上述现有技术存在的不足，而提出一种电源芯片，可以实现两个或两个以上芯片的封装并有效降低热阻。本技术针对上述技术问题而提出的技术方案包括，提出一种电源芯片，包括相互连接的两个载片区及分别对应承载在该两个载片区上的两颗晶片，其中一颗晶片为低压电路晶片，另一颗晶片为第一高压电路晶片；绝缘本体，包覆在该两个载片区及晶片上；以及七个导电端子，与该两个载片区及晶片电连接并伸出于该绝缘本体；该七个导电端子的排布位置与标准的八脚单列直插规格的七个管脚位置相对应，其中，该第一载片区的面积大于该第二载片区的面积，与该第一管脚位置相对应的导电端子与第一个载片区及第一高压电路晶片相连接，与该第四管脚至第八管脚位置相对应的五个导电端子与第二个载片区及低压电路晶片相连接。在一个实施例中，与该第二管脚相对应的位置不设导电端子，与该第三管脚相对应的一个导电端子与第二个载片区及低压电路晶片相连接。该第二载片区呈竖直延伸的矩形，与该第五管脚位置相对应。该第一载片区的面积是该第二载片区的面积的三倍 以上；该第一载片区包括本体和延伸部，该本体呈横向延伸的矩形，该延伸部由该本体的外侧端进一步向下弯折延伸而成，并与该第一管脚位置相对应。在另一个实施例中，还包括第三个载片区及对应承载在该第三载片区上的第二高压电路晶片；该绝缘本体还包覆在该第三载片区及第二高压电路晶片上；其中，与该第二管脚位置相对应的导电端子与该第三载片区及第二高压电路晶片相连接，与该第三管脚相对应的位置不设导电端子。该第二载片区呈竖直延伸的矩形，与该第五管脚位置相对应。该第三个载片区呈L形，其一端靠近该第二载片区的侧边、另一端与该第一管脚位置相对应；该第一载片区的面积是该第二载片区的面积的二倍以上；该第一载片区包括本体和延伸部，该本体呈横向延伸的矩形，该延伸部由该本体的外侧端进一步向下弯折延伸而成，并与该第二管脚位置相对应。该第一高压电路晶片包括高压功率开关管，装载该第一载片区的背板与高压相连；该低压电路晶片包括与该高压功率开关管的控制端相连的开关控制电路，该开关控制电路为脉宽调制电路，脉幅调制电路或者脉相调制电路。在本技术中，该第一载片区与第二载片区不在同一平面上，该第一载片区所在平面较第二载片区所在平面更靠近该绝缘本体背面，从而使该第一载片区能够外露于该绝缘本体表面。该电源芯片中的高压是指电压值范围在100-1000V之间。与现有技术相比，本技术的电源芯片，通过采用SIP8封装结构，将高压电路晶片和低压电路晶片封装在一起，并在高压引脚与低压引脚格外间隔一个管脚的距离，可以实现两个或两个以上高压与低压芯片的组合封装并有效降低热阻。附图说明图I是本技术的电源芯片封装结构第一实施例的结构图。图2是本技术的电源芯片封装结构第二实施例的结构图。具体实施方式以下结合附图，对本技术予以进一步地详尽阐述。参见图1，本技术的电源芯片封装结构第一实施例包括相互连接的两个载片区10、20及分别对应承载在该两个载片区10、20上的两颗晶片(图未示出)，其中第二载片区20上晶片为低压电路晶片，第一载片区10上晶片为第一高压电路晶片；绝缘本体80，包覆在该两个载片区10、20及晶片上；以及七个导电端子1、2、3、4、5、6、7，与该两个载片区10、20及晶片电连接并伸出于该绝缘本体80 ;该七个导电端子1、2、3、4、5、6、7的排布位置与标准的八脚单列直插规格的七个管脚位置相对应，其中，该第一载片区10的面积大于该第二载片区20的面积，与该第一管脚位置相对应的导电端子I与第一个载片区10及第一高压电路晶片相连接，与该第二管脚相对应的位置不设导电端子，与该第三管脚至第八管脚位置相对应的六个导电端子2、3、4、5、6、7与第二个载片区20及低压电路晶片相连接。优选地，该第二载片区20呈竖直延伸的矩形，与该第五管脚位置相对应，与导电端子4相连。该第一载片区10包括本体101和延伸部102，该本体101呈横向延伸的矩形，该延伸部102由该本体101的外侧端进一步向下弯折延伸而成，与该第一 管脚位置相对应，与导电端子I相连。该第一载片区10的面积较该第二载片区20的面积要大很多，比如前者是后者的三倍以上。如此结构，通过设置两个装载区10、20，可以实现两个晶片的封装；导电端子I接高压，导电端子2、3、4、5、6、7接低压，并且导电端子2实际位于第三管脚相对应的位置，从而在导电端子I和导电端子2额外间隔一个引脚的间隔，高压端子和低压端子之间的间隔可以从I. 34mm提高到3. 88mm ;通过加大该第一载片区10的面积可以提高整个电源芯片的导热能力从而降低热阻。更具体地，该第一高压电路晶片包括高压功率开关管，该第一载片区与高压相连；该低压电路晶片包括与该闻压功率开关管的控制端相连的开关控制电路，该开关控制电路为脉宽调制电路，脉幅调制电路或者脉相调制电路。需要说明的是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电源芯片，其特征在于，包括：相互连接的两个载片区及分别对应承载在该两个载片区上的两颗晶片，其中一颗晶片为低压电路晶片，另一颗晶片为第一高压电路晶片；绝缘本体，包覆在该两个载片区及晶片上；以及七个导电端子，与该两个载片区及晶片电连接并伸出于该绝缘本体；该七个导电端子的排布位置与标准的八脚单列直插规格的七个管脚位置相对应，其中，该第一载片区的面积大于该第二载片区的面积，与该第一管脚位置相对应的导电端子与第一个载片区及第一高压电路晶片相连接，与该第四管脚至第八管脚位置相对应的五个导电端子与第二个载片区及低压电路晶片相连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑凌波，周勇，
申请(专利权)人：深圳市力生美半导体器件有限公司，
类型：实用新型
国别省市：