一种新型封装的功率模块制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型封装的功率模块，包括绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片、绝缘基板、功率端子、功率圆柱、铝线和塑料外壳；绝缘栅双极型晶体管芯片与二极管芯片回流焊接在绝缘基板导电铜层上；功率端子和功率圆柱接插配合，功率圆柱直接焊接与绝缘基板上。芯片之间、芯片与绝缘基板相应的导电层之间相应的引出处之间通过铝线键合来实现电气连接；固定卡片被注塑于塑料外壳内，以非常可靠地用螺丝把整个模块安装在固定在散热器上。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电力电子学领域，涉及功率模块的封装，具体地说是一种新型封装的功率模块。
技术介绍
目前，绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块在变频器，逆变焊机，感应加热，轨道交通以及风能，太阳能发电等领域的应用越来越广泛，对于绝缘栅双极型晶体管模块可靠性要求越来越高,要求绝缘栅双极型晶体管模块体积和质量做的越来越小，成本更低
技术实现思路
本技术的目的是设计出一种新型封装的功率模块。本技术要解决的是现有绝缘栅双极型晶体管模块体积大、热阻大、可靠性低、生产成本高的问题。本技术的技术方案是它包括芯片、绝缘基板、功率端子、功率圆柱、铝线、夕卜壳和热敏电阻；芯片、功率圆柱通过回流焊接焊接在绝缘基板(DBC)的导电铜层上；芯片之间、芯片与绝缘基板(DBC)相应的导电层之间通过铝线键合实现电气连接；外壳和绝缘基板(DBC)通过密封胶粘接；功率端子与功率圆柱之间通过插接配合、或功率端子与功率圆柱之间通过铆接压紧配合、或功率端子与功率圆柱之间通过粘导电胶胶配合；塑料外壳内设有固定卡片。所述的芯片包括绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片。本技术的优点是本技术提供的无底板绝缘栅双极型晶体管模块，能降低绝缘栅双极型晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型封装的功率模块，包括芯片、绝缘基板、功率端子、功率圆柱、铝线、外壳和热敏电阻；芯片、功率圆柱通过回流焊接焊接在绝缘基板的导电铜层上；芯片之间、芯片与绝缘基板相应的导电层之间通过铝线键合实现电气连接；外壳和绝缘基板通过密封胶粘接；其特征在于功率端子与功率圆柱之间插接配合、或是功率端子与功率圆柱之间铆接压紧配合、或是功率端子与功率圆柱之间通过粘导电胶胶配合；塑料外壳内设有固定卡片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚礼军，
申请(专利权)人：嘉兴斯达微电子有限公司，
类型：实用新型
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