半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置，其中使用含有In、Ga及Zn的氧化物半导体膜作为半导体层，并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间包括设置有缓冲层的反交错型（底栅结构）的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置载流子浓度比半导体层高的缓冲层，来形成欧姆接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种具有由将氧化物半导体膜用作沟道形成区的薄膜晶体管(以下，称为TFT)构成的电路的半导体装置及其制造方法。例如，涉及将以液晶显示面板为代表的电光装置或具有有机发光元件的发光显示装置作为部件而安装的电子设备。另外，本说明书中的半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置，因此电光装置、半导体电路以及电子设备都是半导体装置。
技术介绍
近年来，对在配置为矩阵状的每个显示像素中设置由TFT构成的开关元件的有源矩阵型显示装置(液晶显示装置、发光显示装置或电泳显示装置)正在积极地进行研究开发。由于有源矩阵型显示装置在各个像素(或每个点)中设置开关元件，与单纯矩阵方式相比，在増加像素密度的情况下能够以低电压进行驱动而具有优势。另外，将氧化物半导体膜用作沟道形成区来形成薄膜晶体管(TFT)等，并且将其应用于电子器件或光器件的技术受到关注。例如，可以举出将氧化锌(ZnO)用作氧化物半导体膜的TFT、或使用InGaO3(ZnO)m的TFT。在专利文献I和专利文献2中公开有如下技术将使用这些氧化物半导体膜的TFT形成在具有透光性的衬底上，并将其应用于图像显示装置的开关元件等。日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：衬底上的栅电极，所述栅电极含有铜；所述栅电极上的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜含有氮化硅；所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜含有氧化硅；所述第二绝缘膜上的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜含有铟和氧；所述氧化物半导体膜上的源电极；所述氧化物半导体膜上的漏电极；所述氧化物半导体膜、所述源电极及所述漏电极上的第三绝缘膜，所述第三绝缘膜含有氧化硅；所述第三绝缘膜上的第四绝缘膜，所述第四绝缘膜含有氮化硅；以及所述第四绝缘膜上的像素电极，所述像素电极电连接到所述源电极和所述漏电极中的一个，其中，所述氧化物半导体膜在所述源电极和所述漏电极之间具有凹部，所述凹部与所述栅电极重叠，...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，宫入秀和，宫永昭治，秋元健吾，白石康次郎，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：