一种阵列基板的外围电路、阵列基板及液晶显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种阵列基板的外围电路、阵列基板及液晶显示装置，涉及液晶显示技术领域，用以避免彩膜基板切割工艺对阵列基板上的外围电路的破坏，提高液晶显示装置的良品率。本实用新型专利技术提供的阵列基板的外围电路包括：形成在基板上位于外围区域的电路层，以及位于所述电路层上的第一电路保护层；该外围电路还包括：位于所述第一电路保护层上，用于保护所述电路层的第二电路保护层。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板的外围电路、阵列基板及液晶显示装置。
技术介绍
在薄膜晶体管液晶显不(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)阵列基板的外围电路中，组成外围电路的基极引线和栅极引线均有保护层，在TFT阵列基板与彩膜基板对盒工艺后，还 包括沿彩膜基板的切割线将彩膜切割掉一部分，使阵列基板上的外围电路裸露在外面，以便进行后续电路检测及制作模组(Module)。阵列基板的外围电路有两种布线方式栅极引线和基极引线双层交替布线，以及栅极引线或基极引线单层布线。双层交替布线是指基极引线位于栅极引线之上，从左到右栅极引线和基极引线交替布线以免栅极引线和基极引线之间信号的串扰，即栅极引线和基极引线位于阵列基板上的同一区域。单层布线是指基极引线和栅极引线均位于基板之上，基极引线和栅极引线之间没有叠加，即基极引线和栅极引线位于阵列基板上的不同区域。阵列基板外围电路采取双层交替布线具体为外围电路的栅极引线在制作TFT的栅极Gate层时制作，基极引线在制作TFT的源极和漏极(SD)层时制作。由于基极引线位于栅极引本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的外围电路，包括：形成在基板上位于外围区域的电路层，以及位于所述电路层上的第一电路保护层；其特征在于，该外围电路还包括：位于所述第一电路保护层上，用于保护所述电路层的第二电路保护层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈磊，王威，代伍坤，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：