半导体装置及其制造方法、显示装置和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了半导体装置及其制造方法、显示装置和电子装置。其中，该半导体装置包括：下层侧的第一导电体和上层侧的第二导电体；厚膜绝缘层，设置在第一导电体和第二导电体之间；以及接触部，被形成为仿效对于绝缘层的通孔的内表面形状并且电连接第一导电体和第二导电体，其中，通孔的锥度角是锐角。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种具有使导电体相互电连接的接触部的半导体装置及其制造方法，以及设置有这种半导体装置(半导体电路部)的显示装置和电子装置。
技术介绍
迄今，例如，已开发了使用多种液晶元件和有机EL (电致发光)元件的显示元件的显示装置。通常，在这种显示装置中，外围电路布置在位于具有多个像素的显示区域(有效显示区域)的外边缘(外周)的框区域(非显示区域)中。此外，使用半导体装置(薄膜晶体管(TFT)的半导体元件等)构造在这些像素的每一个之间的像素电路和外围电路。通常，在这种半导体装置(半导体电路部)中，在绝缘层(电介质层)中形成用于使导电体相互电连接的接触部(例如，参考日本未审查专利申请公开第6-242433号，日本未审查专利申请公开第 11-125831号，以及日本未审查专利申请公开第2002-98995号)。
技术实现思路
此处，在上述接触部中，当出现了断开(连接缺陷)或电阻值(接触电阻)增加时，电气连接劣化并且在制造过程中的产量下降。因此，存在对提议能够比以前更可靠地在接触部中进行电气连接并且提高可靠性的方法的需求。期望提供一种能够提高可靠性的半导体装置及其制造方法、显示装置和电子装置。本公开的实施方式的半导体装置，包括下层侧的第一导电体和上层侧的第二导电体；厚膜绝缘层，设置在第一导电体和第二导电体之间；以及接触部，被形成为仿效对于绝缘层的通孔的内表面形状并且将第一导电体和第二导电体电连接，其中，通孔的锥度角是锐角。本公开的实施方式的半导体装置的制造方法，包括在基板上形成第一导电体；在第一导电体上形成厚膜绝缘层；形成通孔，在通孔中锥度角是在绝缘层中的锐角；形成接触部，接触部与第一导电体电连接从而仿效通孔的内表面形状；以及形成第二导电体，第二导电体通过绝缘层上的接触部与第一导电体电连接。本公开的实施方式的显示装置，设置有上述本公开的半导体装置(半导体电路单元)和显示单元。本公开的实施方式的电子装置，设置有上述本公开的显示装置。在本公开实施方式的半导体装置及其制造方法、以及显示装置和电子装置中，形成将第一导电体和第二导电体电连接的接触部从而仿效通孔的内表面形状，对于通孔来说锥度角相对于绝缘层是锐角。按照这种方式，即使绝缘层具有厚膜形状，也提高了接触部的通孔内表面的覆盖特性，可以抑制接触部中的断开(连接缺陷)或电阻值(接触电阻)的增加。根据本公开实施方式的半导体装置及其制造方法、显示装置和电子装置，由于形成将第一导电体和第二导电体电连接的接触部从而仿效通孔的内表面形状，对于通孔来说锥度角是相对于绝缘层的锐角，即使绝缘层具有厚膜形状，也能够抑制接触部中的断开或电阻值的增加。因此，能够更可靠地在接触部中进行电连接，并且提高可靠性。附图说明图IA和图IB是用于描述结合了触摸传感器的显示装置的操作原理的示图，并且示出了未与手指接触时的状态。图2A和图2B是用于描述结合了触摸传感器的显示装置的操作原理的示图，并且示出了与手指接触时的状态。图3A和图3B是用于描述结合了触摸传感器的显示装置的操作原理的示图，并且示出了触摸传感器的驱动信号和检测信号的波形的实例。 图4是表示设置有根据本公开的实施方式的半导体装置(半导体电路部)的显示装置(即，结合了触摸传感器的显示装置)的示意性构造实例的截面图。图5是示出图4所示的显示装置的主体部(用于传感器的公共电极和检测电极)的构成实例的透视图。图6是表示图4所示的显示装置中的驱动器的详细结构和像素结构的实例的框图。图7是表示图4所示的显示装置中的驱动器的详细构造和像素结构的另一实例的框图。图8是示出了图4所示的显示装置中的检测电路的实例的电路图。图9是表示图4所示的显示装置中的详细构成实例的截面图。图10是用于描述图9中所示的接触部的纵横比和锥度角的示意图。图11是用于描述在后烘烤(post baking)之前和之后的平坦化膜(planarizedfilm)的形状的示意性截面图。图12A和图12B是表示使用半色调曝光(halftone exposure)的接触部形成方法的实例的截面图。图13A和图13B是表示接触部的纵横比和锥度角与接触电阻之间的关系的实例的特性图。图14A和图14B是表示根据比较例的接触部的构成的截面图。图15A和图15B是表示接触部中的锥度角和接触缺陷率之间的关系的实例等的特性图。图16是表示柱状间隔件和接触部之间的距离与施加到接触部的压力之间的关系的实例的特性图。图17是示出了关于由压力导致的图像质量劣化的实施方式I至3的结果的示图。图18是表示从实施方式的显示装置的应用例I的前侧(A)观察到的外观和从后侦仪B)观察到的外观的透视图。图19A是表示从应用例2的前侧观察到的外观的透视图，图19B是表示从后侧观察到的外观的透视图。图20是表示应用例3的外观的透视图。图21是表示应用例4的外观的透视图。图22A是应用例5的打开状态的正视图，图22B是其侧面视图，图22C是闭合状态下的正视图，图22D是其左侧视图，图22E是其右侧视图，图22F是其上表面视图，以及图22G是其下表面视图。具体实施例方式下文将参照附图详细描述本公开的实施方式。将按照以下顺序进行描述。I.在结合了触摸传感器的显示装置中的触摸检测方法的基本原理2.实施方式(结合了触摸传感器的显示装置的实例，在该显示装置中接触部的锥度角是锐角)3.应用例(用于显示装置的电子设备的应用例) 4.变形例(用于除了显示装置以外的半导体装置的应用例等)<触摸检测方法的基本原理>首先，参考图I至图3，将描述根据以下实施方式的显示装置(结合了触摸传感器的显示装置)中的触摸检测方法的基本原理。触摸检测方法实现为静电电容式触摸传感器，例如,如图IA所示，使用其间插入电介质体Di的彼此面对的一对电极(驱动电极El和检测电极E2)来构造电容元件。该结构被表示为图IB中所示的等效电路。电容元件Cl由驱动电极E1、检测电极E2和电介质Di构成。电容元件Cl的一端连接至交流信号源(驱动信号源)Sac，而另一端P通过电阻器R接地以及连接至电压检测器(检测电路)DET0当从交流信号源Sac向驱动电极El (电容元件Cl的一端)施加具有预定频率(例如，大约几kHz到19kHz)的交流矩形波Sg (图3B)时，在检测电极E2 (电容元件Cl的另一端P)呈现图3A中所示的输出波形(检测信号Vdet)。此外，交流矩形波Sg相当于后面描述的公共驱动信号Vcom0在如图I所示的没有手指接触(或未靠近)的状态下，根据电容元件Cl的电容值，电流IO流动，伴随着电容元件Cl的充电和放电。此时电容元件Cl的另一端P处的电势波形例如为如图3A中的波形V0，并且由电压检测器DET进行检测。另一方面，在手指接触(或靠近)的状态下，如图2所示，通过手指所形成的电容元件C2被形成为串联添加到电容元件Cl。在此状态下，电流Il和12的流动分别伴随着电容元件Cl和C2的充电和放电。此时电容元件Cl的另一端P的电势波形例如为如图3A中的波形VI，并且由电压检测器DET进行检测。此时，P点的电势为通过流经电容元件Cl和C2的电流Il和12的值来确定的分压电势。为此，波形Vl的值小于非接触状态下的波形VO的值。正如稍后描述的，电压检测器DET将检测到的电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：下层侧的第一导电体和上层侧的第二导电体；厚膜绝缘层，设置在所述第一导电体和所述第二导电体之间；以及接触部，被形成为仿效对于所述绝缘层的通孔的内表面形状并且电连接所述第一导电体和所述第二导电体，其中，所述通孔的锥度角是锐角。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：永泽耕一，池田雅延，村田康博，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：